[發明專利]基于水擴散與解剖法的復合絕緣子交界面缺陷檢測方法在審
| 申請號: | 201410546698.7 | 申請日: | 2014-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN104459029A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 張福增;廖一帆;羅兵;王國利;屠幼萍 | 申請(專利權)人: | 南方電網科學研究院有限責任公司 |
| 主分類號: | G01N33/00 | 分類號: | G01N33/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 擴散 解剖 復合 絕緣子 界面 缺陷 檢測 方法 | ||
技術領域
本發明涉及復合絕緣子的檢測技術領域,尤其涉及一種基于水擴散與解剖法的復合絕緣子交界面缺陷檢測方法。
背景技術
復合絕緣子是由玻璃纖維樹脂的芯棒、合成材料的護套、傘裙和兩端的連接金具組成的絕緣子,由于其重量輕、強度高、耐污閃性能強、制造維護方便等眾多優點而在電力系統中得到了廣泛的應用。為了不斷改進復合絕緣子的工藝,提高它的質量,需要對復合絕緣子的各部分組件進行鑒定實驗,以確定最優的絕緣子設計方案與材料組合。
標準IEC6227-2005即標稱電壓大于1000V的室內外用聚合絕緣子定義、實驗方法和驗收準則,收錄了絕大部分常見的針對1000V以上絕緣子質量的鑒定實驗,其中,僅有三種可以鑒定復合絕緣子交界面質量的實驗方法:1、肉眼觀察法。通過肉眼直接觀測復合絕緣子交界面的缺陷如護套、傘裙、金具等部位有無開裂,有無電蝕損、粉化、漏電痕跡等。2、陡波實驗。實驗方法:將復合絕緣子在鹽水中水煮后,對其施加沖擊電壓,觀察絕緣子的放電波形是否存在畸變,以及是否出現擊穿現象,從而判斷絕緣子交界面的質量。3、工頻干耐受實驗。實驗方法:將復合絕緣子在鹽水中水煮后,對其施加30分鐘80%的閃絡電壓,在溫升是不超過10攝氏度時,觀察絕緣子的溫度變化,并依此判斷絕緣子交界面的質量。
但是,上述三種鑒定復合絕緣子交界面質量的實驗方法均不能鑒別護套與芯棒交界面的脫粘類缺陷,其中肉眼觀察法通常僅針對于護套材料發生老化,例如粉化,開裂,而對于交界面缺陷,尤其是早起交界面缺陷無效果。而陡波實驗漏檢率極高,多地研究者的共同研究結果表明,即使施加電壓的陡度超過GB/T?19519-2004及DL?810-2002的規定,仍不能將部分交界面存在缺陷的絕緣子檢出。至于工頻干耐受試驗,則不是針對內部交界面缺陷。因此有必要提出一種新的針對高壓復合絕緣子的交界面缺陷檢驗方法。
發明內容
本發明的目的在于提供一種基于水擴散與解剖法的復合絕緣子交界面缺陷檢測方法,能夠有效地檢驗出復合絕緣子的各種交界面缺陷。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的。
一種基于水擴散與解剖法的復合絕緣子交界面缺陷檢測方法,包括步驟:
(1)從待檢測的同一支復合絕緣子上截取多支樣品,并記錄在截取前各樣品上的明顯老化現象;
(2)將各樣品分別放入水煮容器中進行水煮預老化處理;
(3)對各樣品進行加壓試驗,記錄加壓過程中各樣品的泄漏電流值以及局部異常溫升現象;
(4)對水煮后的各樣品進行解剖并沿徑向拉扯其傘裙,使得各樣品的護套與芯棒脫離或傘裙與護套被撕裂,記錄各樣品的芯棒表面硅橡膠材料的殘余量;
(5)根據記錄結果,按照預定的驗收標準對各樣品進行驗收,若其中有任一支樣品不符合驗收標準,則判定所述復合絕緣子的交界面存在缺陷。
優選地,所述步驟(1)中,從待檢測的復合絕緣子上截取6支樣品,樣品位置分別位于絕緣子高壓側、中壓側與低壓側,每部位截取相鄰2支,樣品長度為30mm。
優選地,所述絕緣子高壓側位置距高壓金具不超過2個傘裙單元,所述中壓側與低壓側位置距地不超過2個傘裙單元。
優選地,所述步驟(1)中還包括:在截取各樣品后,應用細砂紙研磨各樣品的界面以及界面邊緣。
優選地,所述步驟(2)中,對于護套厚度小于等于5mm的樣品,其水煮時間為100±0.5h;對于厚度大于5mm的樣品,其水煮時間為200h。
優選地,所述步驟(2)中,在對各樣品進行水煮時采用NacL濃度0.1%的去離子水。
優選地,所述步驟(2)中還包括:在對各樣品進行水煮預老化后,取出各樣品并將其在常溫去離子水中浸泡15分鐘后用濾紙將水吸干。
優選地,所述步驟(3)中,在對各樣品進行加壓試驗過程中,起始電壓為1kV,升壓速度為每秒1kV,直至實驗電壓達到12kV后維持該電壓在2分鐘內不變。
優選地,所述步驟(4)中,在對各樣品解剖過程中,若所述復合絕緣子為整體注射成型,則以合膜縫為切割線來劃開樣品的傘裙和護套;若所述復合絕緣子為擠包穿傘成型,則以任意一條軸向直線為切割線來劃開樣品的傘裙和護套,劃開深度直至其芯棒但不損傷芯棒。
優選地,所述步驟(5)中,所述驗收標準具體為:
a、在截取樣品前,樣品表面無明顯老化現象;
b、對于水煮后的樣品,在加壓過程中其泄漏電流值與電壓成線性增長;
c、對于水煮后的樣品,在加壓過程中其泄漏電流不超過1mA;
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