[發明專利]等離子刻蝕設備

有效

• 申請號: 201410546545.2
• 申請日: 2014-10-15
• 公開（公告）號: CN104576281B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 馬克西姆·瓦瓦拉
• 申請（專利權）人: SPTS科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/3065
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種等離子刻蝕設備，用于對襯底進行等離子刻蝕，所述設備包括：

第一隔室，具有等離子生成區域，所述等離子生成區域具有一定的橫截面積和形狀；

等離子生成裝置，用于在所述等離子生成區域中生成等離子；

第二隔室，在所述第一隔室中生成的等離子能夠流入所述第二隔室，其中，所述第二隔室限定了具有一定橫截面積和形狀的內部，并且所述內部的橫截面積大于所述等離子生成區域的橫截面積；

第三隔室，具有一用于對具有待等離子刻蝕的上表面的襯底進行支承的襯底支承件，其中，所述第三隔室具有與所述第二隔室的界面且所述第三隔室對所述第二隔室開放，以使得等離子或者一種或更多種與等離子相關的刻蝕劑能夠從所述第二隔室自由地流到所述第三隔室以對所述襯底進行刻蝕并使得所述第二隔室中的壓力與所述第三隔室中的壓力相同；

其中，

所述第二隔室的所述內部的橫截面積與形狀大體上對應于所述襯底的上表面；

所述襯底支承件被布置以使得，在使用中，所述襯底大體上與所述第二隔室的所述內部配準，并且所述襯底的上表面被放置成與所述界面相距80mm或更少；以及

待刻蝕的所述襯底以及所述第二隔室的所述內部各自具有至少一個寬度，并且所述第二隔室的所述內部的寬度與所述襯底的寬度之比在1.15到1.0范圍內。

2.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其中，所述第二隔室的所述內部的寬度與所述襯底的寬度之比在1.1到1.0范圍內。

3.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其中，所述襯底支承件被布置成使得，在使用中，所述襯底的上表面被放置成與所述界面相距60mm或者更少。

4.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其中，所述襯底支承件被布置成使得，在使用中，所述襯底的上表面被放置成與所述界面相距10mm或更多。

5.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其中，所述等離子生成區域的橫截面積與所述第二隔室的橫截面積之比在0.07到0.7范圍內。

6.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其中，所述第一隔室和所述第二隔室共軸。

7.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其中，所述第一隔室與所述第二隔室兩者都具有圓形橫截面。

8.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其中，所述第一隔室具有鐘形罩形狀。

9.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其中，所述界面由布置在所述第二隔室與所述第三隔室之間的間隔元件來限定。

10.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，進一步包括布置在所述襯底支承件之上或者附近的隔板以引導氣體流到所述襯底附近。

11.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其中，所述襯底支承件被配置為對具有至少200mm直徑的襯底進行支承。

12.根據權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其結合有所述襯底，所述襯底使用所述襯底支承件進行支承。