[發明專利]一種PVDF基高壓電系數薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201410546469.5
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN104409626A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 趙曉林;王建祿;孟祥建;孫碩;沈宏;韓莉;孫璟蘭;褚君浩
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L41/45
• 分類號: H01L41/45;C08J5/18;C08L27/16
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種PVDF基高壓電系數薄膜的制備方法，其特征包括以下步驟：

(1)將襯底材料清洗干凈保證其表面的平整度，并做表面疏水處理；

(2)將不同PVDF基有機鐵電聚合物溶液滴均勻鋪入朗繆爾-布羅基特設備已經注入靜置超純水的液體槽中，待PVDF基有機鐵電聚合物均勻分布在液面，并通過擠壓成膜的液面，通過控制液面表面壓力使薄膜成膜連續；

(3)將連續薄膜通過水平轉移朗繆爾-布羅基特方法轉移至襯底上，通過交替轉移不同PVDF基有機鐵電聚合物薄膜，重復一定周期，并將生長的交替薄膜經過退火處理，薄膜的退火溫度110-135℃，維持4小時后，冷卻至室溫，便形成PVDF基高壓電系數薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種PVDF基高壓電系數薄膜的制備方法，其特征在于，所述的襯底材料為石英玻璃，氧化物單晶，硅基片或有機薄膜材料，襯底的表面粗糙度低于3納米。

3.根據權利要求1所述的一種PVDF基高壓電系數薄膜的制備方法，其特征在于，所述的PVDF基有機鐵電聚合物為：聚偏氟乙烯單聚物，聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE)或聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物P(VDF-TrFE-CFE)。

4.根據權利要求1所述的一種PVDF基高壓電系數薄膜的制備方法，其特征在于，所述的PVDF基有機鐵電聚合物溶液的溶劑為二甲基亞砜，其溶液濃度的質量百分含量為0.01％。

5.根據權利要求1所述的一種PVDF基高壓電系數薄膜的制備方法，其特征在于，所述的超純水的電阻為18.2兆歐姆，液面表面壓控制在5毫牛頓每米。