[發明專利]一種半導體器件中飽和電流性能的控制方法

有效

• 申請號: 201410546364.X
• 申請日: 2014-10-15
• 公開（公告）號: CN105575780B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 張京晶
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種半導體器件中飽和電流性能的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S1、在一半導體襯底的離子注入工藝的過程中，采用預設的初始流量的電子流作用于所述半導體襯底，以中和該半導體襯底的表面上的正電荷；

步驟S2、獲取該半導體襯底上的正電荷的中和情況，并根據該中和情況，對該半導體襯底的離子注入工藝進行調整，以使該半導體襯底中的離子注入效果滿足需求；

步驟S2中還包括：

步驟S21、獲取該半導體襯底上的正電荷的中和情況；

步驟S22、若所述中和情況反映出中和充分，則該半導體襯底中的離子注入效果滿足需求；

若所述中和情況反映出中和不充分，則對該半導體襯底進行額外的離子注入工藝，以使該半導體襯底中的離子注入效果滿足需求；

步驟S23、根據所述中和情況，對所述電子流的初始流量進行修正，以用于后續其他半導體襯底的離子注入工藝中。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子流均由低速電子構成。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述低速電子為通過惰性氣體產生的二次電子。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述惰性氣體為氙氣。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述低速電子通過一淹沒式等離子體槍發射，以形成所述電子流。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S3中，通過一實時監控器獲取所述半導體襯底上的正電荷的中和情況。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

步驟S3、對所述半導體襯底進行可接受性測試。