[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板與顯示器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410544999.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105575973B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李冠鋒;顏?zhàn)訒F | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 顯示器 | ||
本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜晶體管基板與顯示器,該薄膜晶體管基板包括:基板;柵極,位于基板上;柵極絕緣層,位于基板上且覆蓋柵極;主動(dòng)層,配置于柵極絕緣層上;蝕刻停止層,位于主動(dòng)層與柵極絕緣層上;第一開(kāi)口,穿過(guò)該蝕刻停止層并露出該主動(dòng)層的第一部分;源極,位于蝕刻停止層上,并經(jīng)由第一開(kāi)口電連接至主動(dòng)層的第一部分;第一無(wú)機(jī)絕緣層,位于源極與蝕刻停止層上;第二開(kāi)口,穿過(guò)第一無(wú)機(jī)絕緣層與蝕刻停止層并露出主動(dòng)層的第二部分;阻障層,位于第二開(kāi)口的側(cè)壁與底部上且接觸主動(dòng)層的第二部分;有機(jī)絕緣層,位于第一無(wú)機(jī)絕緣層上;第三開(kāi)口,穿過(guò)有機(jī)絕緣層并露出阻障層;透明電極,位于部分有機(jī)絕緣層上且經(jīng)由第三開(kāi)口接觸阻障層。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及薄膜晶體管,且特別是涉及薄膜晶體管基板以及顯示器。
背景技術(shù)
隨著顯示科技日益進(jìn)步,顯示器可使生活更加便利。為求顯示器輕與薄的特性,平面顯示器(flat panel display,F(xiàn)PD)成為目前的主流。在諸多平面顯示器中,液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)具有高空間利用效率、低消耗功率、無(wú)輻射、以及低電磁干擾等優(yōu)越特性,因此深受消費(fèi)者歡迎。
液晶顯示器主要是由薄膜晶體管基板、彩色濾光基板、與位于兩基板之間的液晶層所構(gòu)成。薄膜晶體管基板具有多個(gè)薄膜晶體管分別位于多個(gè)像素中。
目前液晶顯示器朝向提高分辨率的方向發(fā)展。然而,受限于目前光刻技術(shù)的分辨率極限,薄膜晶體管中的源極與漏極之間的距離無(wú)法縮小,因此,薄膜晶體管的尺寸無(wú)法縮小,以致于當(dāng)提高分辨率(亦即,縮小各像素的尺寸)時(shí),像素的開(kāi)口率會(huì)大幅下降。因此,如何縮小薄膜晶體管的尺寸是當(dāng)前的重要課題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管基板,包括:基板;柵極,位于基板上;柵極絕緣層,位于基板上且覆蓋柵極;主動(dòng)層,配置于柵極絕緣層上;蝕刻停止層,位于主動(dòng)層與柵極絕緣層上;第一開(kāi)口,穿過(guò)蝕刻停止層并露出主動(dòng)層的第一部分;源極,位于蝕刻停止層上,并經(jīng)由第一開(kāi)口電連接至主動(dòng)層的第一部分;第一無(wú)機(jī)絕緣層,位于源極與蝕刻停止層上;第二開(kāi)口,穿過(guò)第一無(wú)機(jī)絕緣層與蝕刻停止層并露出主動(dòng)層的第二部分;阻障層,位于第二開(kāi)口的側(cè)壁與底部上且接觸主動(dòng)層的第二部分;有機(jī)絕緣層,位于第一無(wú)機(jī)絕緣層上;第三開(kāi)口,穿過(guò)有機(jī)絕緣層并露出阻障層;透明電極,位于部分有機(jī)絕緣層上且經(jīng)由第三開(kāi)口接觸阻障層。
本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管基板,包括:基板;柵極,位于基板上;柵極絕緣層,位于基板上且覆蓋柵極;主動(dòng)層,配置于柵極絕緣層上;蝕刻停止層,位于主動(dòng)層與柵極絕緣層上;第一開(kāi)口,穿過(guò)蝕刻停止層并露出主動(dòng)層的第一部分;源極,位于蝕刻停止層上,并經(jīng)由第一開(kāi)口電連接至主動(dòng)層的第一部分;第一無(wú)機(jī)絕緣層,位于源極與蝕刻停止層上;第二開(kāi)口,穿過(guò)第一無(wú)機(jī)絕緣層與蝕刻停止層并露出主動(dòng)層的第二部分;阻障層,位于第二開(kāi)口的側(cè)壁與底部上且接觸主動(dòng)層的第二部分;透明電極,位于部分第一無(wú)機(jī)絕緣層上且接觸阻障層。
本發(fā)明一實(shí)施例提供的顯示器,包括:上述的薄膜晶體管基板;對(duì)向基板,與薄膜晶體管基板相對(duì)設(shè)置;以及顯示介質(zhì),位于薄膜晶體管基板與對(duì)向基板之間。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中薄膜晶體管基板的剖視圖;
圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中薄膜晶體管基板的剖視圖;
圖3為圖2的薄膜晶體管基板的上視圖;
圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中薄膜晶體管基板的剖視圖;
圖5為圖4的薄膜晶體管基板的上視圖;
圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中薄膜晶體管基板的剖視圖;
圖7為圖6的薄膜晶體管基板的上視圖;
圖8為本發(fā)明一實(shí)施例中薄膜晶體管基板的剖視圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





