[發明專利]數據寫入方法、存儲器存儲裝置及存儲器控制電路單元有效
| 申請號: | 201410544531.7 | 申請日: | 2014-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN105573661B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發明(設計)人: | 辜芳立;陳慶儒;許登鈞;簡嘉宏 | 申請(專利權)人: | 群聯電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06;G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數據 寫入 方法 存儲器 存儲 裝置 控制電路 單元 | ||
一種數據寫入方法、存儲器存儲裝置及存儲器控制電路單元。所述數據寫入方法包括:將數據寫入至至少一第一邏輯單元以及第二邏輯單元,其中此數據包括第一數據與第二數據;存儲并填滿第一數據至至少一第一物理抹除單元,并且存儲第二數據至至少一第二物理抹除單元;判斷每一第二物理抹除單元的剩余空間是否小于一閾值;若所述第二物理抹除單元的其中之一的剩余空間小于此閾值,從閑置區中選擇至少一第四物理抹除單元,并且將第二數據寫入至第二物理抹除單元與第四物理抹除單元。
技術領域
本發明涉及一種數據寫入方法,且特別涉及一種數據寫入方法、存儲器存儲裝置及存儲器控制電路單元。
背景技術
數字相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速,使得消費者對存儲介質的需求也急速增加。由于可復寫式非易失性存儲器(rewritable non-volatile memory)具有數據非易失性、省電、體積小、無機械結構、讀寫速度快等特性,最適于便攜式電子產品,例如筆記型計算機。固態硬盤就是一種以快閃存儲器作為存儲介質的存儲裝置。因此,近年快閃存儲器產業成為電子產業中相當熱門的一環。
對于快閃存儲器裝置,在存儲一筆循序數據的時候,一般情況下,會將此筆循序數據連續寫滿多個物理抹除單元,再將此筆循序數據剩余的未能寫滿一個物理抹除單元的數據,寫入至一個特定的物理抹除單元。當再進行多次寫入此筆循序數據的寫入操作時,會因為上述特定物理抹除單元的空間無法足夠來存儲此筆循序數據剩余的未能寫滿一個物理抹除單元的數據,而需要對此特定物理抹除單元進行合并操作。而在此合并操作中,會對此特定物理抹除單元進行抹除操作,進而使多次寫入此筆循序數據的效率降低。經由本發明提供的數據寫入方法,可增進多次寫入循序數據的數據寫入效率。
發明內容
本發明提供一種數據寫入方法、存儲器存儲裝置及存儲器控制電路單元,可減少合并操作的執行次數,進而增進循序數據的寫入效率。
本發明的一范例實施例提供一種數據寫入方法,其用于控制可復寫式非易失性存儲器模塊,其中可復寫式非易失性存儲器模塊具有多個物理抹除單元,所述物理抹除單元被至少分組為一數據區與一閑置區,并且所述數據寫入方法包括:配置多個邏輯單元,其中所述邏輯單元中的至少一第一邏輯單元映射至數據區中的至少一第一物理抹除單元,所述邏輯單元中的至少一第二邏輯單元映射至數據區中的至少一第二物理抹除單元,所述第一物理抹除單元存儲有一第一數據且被第一數據寫滿,所述第二物理抹除單元存儲有一第二數據且未被第二數據寫滿;從閑置區中選擇至少一第三物理抹除單元并且判斷所述至少一第二物理抹除單元的剩余空間是否小于閾值;若所述至少一第二物理抹除單元的剩余空間不小于閾值,發送第一寫入指令序列,其中第一寫入指令序列指示將第一數據寫入至所述至少一第三物理抹除單元并且指示將第二數據寫入至所述至少一第二物理抹除單元;以及若所述至少一第二物理抹除單元的剩余空間小于閾值,從閑置區中選擇至少一第四物理抹除單元并且發送第二寫入指令序列,其中第二寫入指令序列指示將第一數據寫入至所述至少一第三物理抹除單元并且指示將第二數據寫入至所述至少一第二物理抹除單元與所述至少一第四物理抹除單元。
在本發明的一范例實施例中,所述閾值等于所述至少一第二邏輯單元所存儲的所述第二數據的數據長度。
在本發明的一范例實施例中,所述數據寫入方法還包括:從主機系統接收第一寫入指令,其中所述第一寫入指令指示將所述第一數據寫入至所述至少一第一邏輯單元并且指示將所述第二數據寫入至所述至少一第二邏輯單元;以及在接收到所述第一寫入指令之后,從所述主機系統接收第二寫入指令,其中所述第二寫入指令指示將所述第一數據寫入至所述至少一第一邏輯單元并且指示將所述第二數據寫入至所述至少一第二邏輯單元,其中從所述閑置區中選擇所述至少一第三物理抹除單元并且判斷所述至少一第二物理抹除單元的所述剩余空間是否小于所述閾值的步驟是響應于所述第二寫入指令而執行。
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