[發明專利]金屬配線蝕刻液組合物及利用其的金屬配線形成方法在審
| 申請號: | 201410543417.2 | 申請日: | 2014-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN104562009A | 公開(公告)日: | 2015-04-29 |
| 發明(設計)人: | 徐源國;申賢哲;金奎布;曹三永;李騏范 | 申請(專利權)人: | 東進世美肯株式會社 |
| 主分類號: | C23F1/14 | 分類號: | C23F1/14 |
| 代理公司: | 北京冠和權律師事務所 11399 | 代理人: | 朱健 |
| 地址: | 韓國仁*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 蝕刻 組合 利用 線形 成方 | ||
1.一種金屬配線蝕刻液組合物,其特征在于,包含:
15至25重量%的過氧化氫;
0.1至1重量%的氟化合物;
0.5至3重量%的含有羧基的胺類;
0.1至1重量%的唑類化合物;
0.01至2重量%的磷酸類化合物或其鹽;
0.1至3重量%的硫酸鹽;以及,
其余重量%的水。
2.根據權利要求1所述的金屬配線蝕刻液組合物,其特征在于,
上述氟化合物選自由HF(氫氟酸)、NaF、NaHF2、NH4F(氟化銨)、NH4HF2、NH4BF4、KF、KHF2、AlF3、HBF4、LiF4、KBF4、CaF2、以及它們的混合物組成的組中。
3.根據權利要求1所述的金屬配線蝕刻液組合物,其特征在于,
上述含有羧基的胺類選自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、亞氨基二乙酸、氨三乙酸、以及它們的混合物組成的組中。
4.根據權利要求1所述的金屬配線蝕刻液組合物,其特征在于,
上述唑類化合物選自由苯并三唑、氨基四唑、氨基四唑鉀鹽、咪唑、吡唑、以及它們的混合物組成的組中。
5.根據權利要求1所述的金屬配線蝕刻液組合物,其特征在于,
上述磷酸類化合物或其鹽選自由H3PO2、H3PO3、H3PO4、以鈉、鉀、鋰、銨替代了上述H3PO2、H3PO3、H3PO4中的氫原子的鹽、以及它們的混合物組成的組中。
6.根據權利要求5所述的金屬配線蝕刻液組合物,其特征在于,
上述磷酸類化合物或其鹽是亞磷酸鹽。
7.根據權利要求1所述的金屬配線蝕刻液組合物,其特征在于,
上述硫酸鹽選自由通過H2SO4或SO4與銨的結合的化合物、通過SO4與金屬Al、Fe、Sb、Ba、Be、Cd、Cs、Ca、Ce、Cr、Co、Cu、Ni、K、Ag、Na、Sr、Sn、Zn、Zr的結合的化合物、以及它們的混合物組成的組中。
8.根據權利要求1所述的金屬配線蝕刻液組合物,其特征在于,
上述金屬配線選自由包括銅的單一金屬膜、包括銅合金膜的合金膜、以及包括作為上部膜的銅膜及作為下部膜的鉬膜和鉬合金膜的多重膜組成的組中。
9.一種金屬配線形成方法,其特征在于,包括:
在基板上形成金屬膜的步驟;
在上述金屬膜上形成光致抗蝕劑圖案的步驟;以及,
將上述光致抗蝕劑圖案用作掩模,并使蝕刻液組合物與上述金屬膜接觸而蝕刻金屬膜的步驟,
上述蝕刻液組合物包含:15至25重量%的過氧化氫;0.1至1重量%的氟化合物;0.5至3重量%的含有羧基的胺類;0.1至1重量%的唑類化合物;0.01至2重量%的磷酸類化合物或其鹽;0.1至3重量%的硫酸鹽;以及,其余重量%的水。
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