[發明專利]具有提供多層壓縮力的防分層結構的塑封器件

在審

• 申請號: 201410543393.0
• 申請日: 2014-10-15
• 公開（公告）號: CN104409423A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: L·奧勒雷斯;葉月萍;張文楷
• 申請（專利權）人: 香港應用科技研究院有限公司
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張春媛;閻娬斌

1.一種塑封的多層半導體器件，包括：

第一基板，其包含至少一個第一復合層和至少一個第一通孔；

第二基板，其包含至少一個第二復合層和至少一個第二通孔；和

至少一個抗分層結構(ADS)，其由填充在第一基板和第二基板之間的絕緣材料制成；

其中ADS包含通過第一通孔和第二通孔的連接部、第一延展結構和第二延展結構；

其中第一延展結構和第二延展結構分別位于連接部的兩側，且具有比連接部的橫截面積更大的橫截面積，提供壓縮力以防止多層半導體器件的分層。

2.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中第一延展結構在第一基板的外表面上水平延展，第二延展結構在第二基板的外表面上水平延展。

3.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中第一通孔的橫截面積與第二通孔的橫截面積不同。

4.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中第一通孔的橫截面積與第二通孔的橫截面積相同。

5.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中第一通孔在不同的第一復合層中具有不同的橫截面積，并且/或第二通孔在不同的第二復合層中具有不同的橫截面積，以優化內部應力分布，從而減小應力集中的強度。

6.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中第一通孔在不同的第一復合層中具有相同的橫截面積，并且/或第二通孔在不同的第二復合層中具有相同的橫截面積。

7.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中第一復合層和/或第二復合層包含陶瓷層和至少一個金屬層。

8.根據權利要求7所述的塑封的多層半導體器件，其中第一通孔和/或第二通孔在陶瓷層中具有比在金屬層中小的橫截面積。

9.根據權利要求7所述的塑封的多層半導體器件，其中在金屬層中第一通孔和/或第二通孔包括臺階形狀。

10.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中第一基板和/或第二基板是直接覆銅(DBC)基板，直接覆銅基板包含位于兩個銅層之間的陶瓷層。

11.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中絕緣材料是環氧樹脂注塑化合物，其塑封在半導體器件的至少一側上。

12.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中絕緣材料是通過一次注塑成形的。

13.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中至少一個電子部件嵌在第一基板和第二基板之間。

14.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，還包括位于第一基板和第二基板側面的塑封體。

15.根據權利要求14所述的塑封的多層半導體器件，其中第一延展結構和/或第二延展結構與第一基板和/或第二基板的外表面上的塑封體連接。

16.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中第一基板和第二基板在第一通孔和第二通孔的一個端部處被半蝕刻，用于填充絕緣材料。

17.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，其中填充在第一基板和第二基板之間的絕緣材料用于保護互連結構和貼附在第一基板或第二基板上的芯片，并且再分布由于芯片和第一基板或第二基板之間的熱膨脹系數不匹配而產生的熱機械應力。

18.根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件，第一通孔的直徑在第一基板的不同復合層處比在第二基板的不同復合層處大，使得第一通孔上的絕緣材料的體積增加從而加強了施加到多層半導體器件上的壓縮力。

19.一種高功率電子模塊，其包括根據權利要求1所述的塑封的多層半導體器件。

20.一種高功率電子模塊，其包括根據權利要求2所述的塑封的多層半導體器件。