[發(fā)明專利]化學(xué)機(jī)械拋光方法、其拋光時(shí)間制程的設(shè)置方法及晶圓

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410542490.8
• 申請(qǐng)日: 2014-10-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105563301B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李一斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): B24B37/005
• 分類號(hào): B24B37/005;H01L21/304
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240
• 代理人: 吳貴明,張永明

1.一種化學(xué)機(jī)械拋光的拋光時(shí)間制程的設(shè)置方法，其特征在于，所述設(shè)置方法包括以下步驟：

建立拋光墊使用時(shí)間和拋光時(shí)間的關(guān)系式Y(jié)＝aX+b，其中Y為所述拋光時(shí)間，單位為秒，X為所述拋光墊使用時(shí)間，單位為個(gè)，b為剛開(kāi)始使用所述拋光墊時(shí)對(duì)應(yīng)的所述拋光時(shí)間，單位為秒，a為所述拋光時(shí)間的補(bǔ)償系數(shù)，單位秒/個(gè)且a＞0；

按照所述關(guān)系式Y(jié)＝aX+b設(shè)置拋光機(jī)臺(tái)中的拋光時(shí)間制程，以使得所述拋光機(jī)臺(tái)隨著所述拋光墊使用時(shí)間的增加對(duì)所述拋光時(shí)間進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)置方法，其特征在于，所述關(guān)系式Y(jié)＝aX+b中，a為0.03～0.04，b為91.0～94.0。

3.根據(jù)權(quán)利要求2述的設(shè)置方法，其特征在于，所述關(guān)系式Y(jié)＝aX+b中，a＝0.0335，b＝92.546。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)置方法，其特征在于，建立所述關(guān)系式Y(jié)＝aX+b的步驟包括：

獲取不同所述拋光墊使用時(shí)間和相應(yīng)所述拋光時(shí)間的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)；

對(duì)所述統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，以獲得所述關(guān)系式Y(jié)＝aX+b。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)置方法，其特征在于，采用MATLAB對(duì)所述統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的設(shè)置方法，其特征在于，在設(shè)置所述拋光時(shí)間制程的步驟中，將aX+b+c作為所述拋光時(shí)間制程的上限值，將aX+b-c作為所述拋光時(shí)間制程的下限值，其中1≤c≤3，c單位為秒。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的設(shè)置方法，其特征在于，在設(shè)置所述拋光時(shí)間制程的步驟中，將(100％+d)(aX+b)作為所述拋光時(shí)間制程的上限值，將(100％-d)(aX+b)作為所述拋光時(shí)間制程的下限值，其中1％≤d≤3％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的設(shè)置方法，其特征在于，采用所述拋光機(jī)臺(tái)中的應(yīng)用軟件系統(tǒng)設(shè)置所述拋光時(shí)間制程。

9.一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括將晶圓置于拋光機(jī)臺(tái)的拋光墊上，設(shè)置拋光時(shí)間制程，以及對(duì)所述晶圓進(jìn)行拋光的步驟，其特征在于，設(shè)置所述拋光時(shí)間制程的方法為權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的設(shè)置方法。

10.一種晶圓，其特征在于，所述晶圓經(jīng)權(quán)利要求9所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法拋光而成。