[發明專利]背照式圖像傳感器的制作方法及背照式圖像傳感器

在審

• 申請號: 201410542471.5
• 申請日: 2014-10-14
• 公開（公告）號: CN105575980A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 王沖;奚民偉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/822
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種背照式圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供襯底；

對所述襯底的背面一側進行減薄處理；

對所述減薄處理后的所述襯底的背面進行第一次激光退火處理，以形成第一退火層；

在所述第一次激光退火處理后的所述襯底的背面一側形成光電二極管。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一次激光退火處理的步驟中， 激光波長為200～350nm，激光能量密度為1.7～2.0J/cm²。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述第一次激光退火處理的步驟中， 表面處理溫度大于1400℃，處理時間小于1μs。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的制作方法，其特征在于，所述第一次激光退火處理 的步驟中形成厚度為30～120nm的所述第一退火層。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述光電二極管的步驟包括：

對所述第一次激光退火處理后的所述襯底的背面一側進行離子注入，以形成離子注 入區；

對所述離子注入后的所述襯底的背面進行第二次激光退火處理形成第二退火層，以 形成所述光電二極管。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述離子注入的步驟中形成位于所述 第一退火層中的所述離子注入區。

7.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述第二次激光退火處理的步驟中，

形成厚度不小于所述離子注入區的厚度的所述第二退火層。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的制作方法，其特征在于，

所述襯底的導電類型為N型，所述離子注入區的導電類型為P型；或

所述襯底的導電類型為P型，所述離子注入區的導電類型為N型。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述減薄處理的步驟之前，將所述襯 底的正面與承載基板進行鍵合。

10.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法進一步包括：在所述光電 二極管上依次形成濾波片和透鏡。

11.一種背照式圖像傳感器，其特征在于，所述背照式圖像傳感器由權利要求1至10中任一 項所述的制作方法制作而成。