[發明專利]一種在低頻電場下測試材料屏蔽效能的裝置和方法

有效

• 申請號: 201410542459.4
• 申請日: 2014-10-14
• 公開（公告）號: CN104330658B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 焦重慶;史曉寧;聶京凱;嵇建飛
• 申請（專利權）人: 華北電力大學;國網智能電網研究院;江蘇省電力公司電力科學研究院
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246
• 代理人: 陳波

1.一種在低頻電場下測試材料屏蔽效能的裝置，其特征在于，所用裝置由屏蔽室、極板、交流電源、電阻、測量設備組成；

所述屏蔽室為采用金屬板制成的長方體，其一側壁上開有測試窗；

所述極板包括發射極板和測試極板；發射極板安裝于屏蔽室外側，測試極板安裝于屏蔽室內部；發射極板、測試極板分別和所述測試窗平行且中心同軸；

發射極板、測試極板和測試窗的大小大致相同；用于固定極板的材料為不具備導磁性的材料；

所述交流電源并接于發射極板與屏蔽室的外殼；所述電阻并接于屏蔽室的內壁與測試極板間；

所述測量設備置于所述屏蔽室內，測量設備的兩個測量點并接于所述電阻兩端，測量所述電阻兩端產生的電壓值；在屏蔽室內部接入攝像頭觀察測量設備的測量值。

2.一種基于權利要求1所述裝置的在低頻電場下測試材料屏蔽效能的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

步驟1，在所述屏蔽室外殼與所述發射極板間施加不同頻率、不同幅值的低頻交流電壓；

步驟2，選擇所述電阻的阻值；

步驟3，在不使用待測材料封堵所述測試窗，測量所述電阻兩端產生的電壓值；

步驟4，在使用待測材料封堵所述測試窗時，測量所述電阻兩端產生的電壓值；

步驟5，計算低頻電場中待測材料的屏蔽效能。

3.根據權利要求2所述的低頻電場下測試材料屏蔽效能的方法，其特征在于，在完成所述步驟2中的電阻阻值選取后，根據步驟1和步驟2中確定的所述交流電壓和所述電阻的參數，估算通電后，未用待測材料封堵所述測試窗時，所述電阻兩端的電壓大小。

4.根據權利要求3所述的低頻電場下測試材料屏蔽效能的方法，其特征在于，根據估算值，調節所述交流電源和/或所述電阻的參數，使所述電阻兩端的電壓位于所述測量設備的可測范圍。

5.根據權利要求2所述的低頻電場下測試材料屏蔽效能的方法，其特征在于，在完成步驟3和步驟4的測量過程后，根據測得的，使用和不使用待測材料封堵所述測試窗情況下的，所述電阻兩端的兩個電壓值，判斷所述兩個電壓值是否均位于所述測量設備的可測范圍；若否，調節所述交流電源和/或所述電阻的參數；然后測量所述電阻兩端的電壓值，直至所述電阻兩端的所述兩個電壓值均位于所述測量設備的可測范圍。

6.根據權利要求2所述的低頻電場下測試材料屏蔽效能的方法，其特征在于，所述測試窗被待測材料完全覆蓋。

7.根據權利要求2所述的低頻電場下測試材料屏蔽效能的方法，其特征在于，所述交流電源的頻率范圍為50Hz～10kHz。

8.根據權利要求2所述的低頻電場下測試材料屏蔽效能的方法，其特征在于，所述電阻的阻值范圍為1MΩ～10MΩ。

9.根據權利要求2所述的低頻電場下測試材料屏蔽效能的方法，其特征在于，所述計算低頻電場中待測材料的屏蔽效能的公式為：

SE＝20log₁₀(U_s1/U_s2)

其中：

U_s1為不封堵測試窗時電阻兩端的電壓值，

U_s2為待測材料封堵測試窗時電阻兩端的電壓值。