[發(fā)明專利]在封裝結(jié)構(gòu)的間斷上的電絕緣的熱接口結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410542356.8 | 申請(qǐng)日： | 2014-10-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104576551B | 公開（公告）日： | 2019-09-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | E·富爾古特;M·門格爾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/28 | 分類號(hào)： | H01L23/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 鄭立柱 |
| 地址： | 德國(guó)諾伊*** | 國(guó)省代碼： | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 封裝 結(jié)構(gòu) 間斷 絕緣 接口 | ||
1.用于制造電子半導(dǎo)體殼體(400)的方法，其中，所述方法具有：
-將電子芯片(100)與載體(102)耦合；
-通過封裝結(jié)構(gòu)(200)至少部分地封裝所述電子芯片(100)并且部分地封裝所述載體(102)，所述封裝結(jié)構(gòu)具有間斷(300)；
-通過電絕緣的熱接口結(jié)構(gòu)(402)覆蓋所述間斷(300)和連接到所述間斷的體積的至少一部分，所述體積鄰接所述載體(102)的裸露的表面部分(302)，所述熱接口結(jié)構(gòu)相對(duì)于外部環(huán)境電解耦所述載體(102)的至少一部分；
-其中，所述間斷(300)是環(huán)形的間斷，所述環(huán)形的間斷廣泛地圍繞電的載體(102)的所述表面部分(302)，并且延伸進(jìn)入所述封裝結(jié)構(gòu)(200)，
所述間斷(300)具有多個(gè)側(cè)壁，所述多個(gè)側(cè)壁相對(duì)于在所述封裝結(jié)構(gòu)(200)中的豎直的延伸傾斜了在5°和35°之間的范圍的角度(α)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述熱接口結(jié)構(gòu)(402)被構(gòu)造用于提供在所述載體(102)和散熱元件(500)之間的熱耦合，所述散熱元件在所述熱接口結(jié)構(gòu)(402)處是可連接的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述方法具有在封裝期間構(gòu)造所述間斷(300)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述間斷(300)通過與所述間斷(300)逆向地形成的突出(104)被構(gòu)造在封裝工具(106)處，從而使得封裝材料至所述間斷(300)的流動(dòng)變?yōu)椴豢赡堋?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法具有在所述封裝之后構(gòu)造所述間斷(300)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過在所述封裝結(jié)構(gòu)(200)的材料硬化之后去除所述封裝結(jié)構(gòu)(200)的材料來構(gòu)造所述間斷(300)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其中，通過來自以下組中的至少一個(gè)來構(gòu)造所述間斷(300)，所述組由激光處理、研磨、刮、等離子處理和腐蝕組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其中，在所述間斷(300)之外的所述封裝結(jié)構(gòu)(200)具有蠟狀的表面層(700)，其中，所述方法具有去除所述封裝結(jié)構(gòu)(200)的材料以用于構(gòu)造直至這樣的深度的所述間斷，所述蠟狀的表面層(700)在所述間斷(300)的位置被局部地去除，使得所述間斷(300)至少逐段地通過所述封裝結(jié)構(gòu)(200)的粗糙的壁(702)來限制，所述壁通過在所述蠟狀的表面層(700)之下的填充顆粒(704)來構(gòu)造。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其中，所述間斷(300)通過所述封裝結(jié)構(gòu)(200)的材料的去除來構(gòu)造，其中，所述載體(102)在所述去除的期間被用作去除中止。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間斷(300)被構(gòu)造作為環(huán)形的閉合的間斷。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述環(huán)形的閉合的間斷(300)完全地圍繞所述載體(102)的所述裸露的表面部分(302)地構(gòu)造。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述載體(102)是電載體，所述電載體與所述電子芯片(100)電耦合。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述間斷(300)從以下組中選擇，所述組由空隙、突出、腔、切口、刻槽、噴砂、以及臺(tái)階組成。
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