[發明專利]一種大電流雙向供電通道控制電路及其調節方法

在審

• 申請號: 201410542332.2
• 申請日: 2014-10-14
• 公開（公告）號: CN105515344A
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發明（設計）人: 聶培軍
• 申請（專利權）人: 北京誼安醫療系統股份有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 路凱;胡彬

1.一種大電流雙向供電通道控制電路，其特征在于，包括MOS管Q1、電 阻R1、電容C1、肖特基二極管D1、三極管Q3、電阻R2、MOS管Q2、電阻R3、 電阻R4、三極管Q4、電阻R6、電阻R5；

所述MOS管Q1的漏極連接電源輸入端，MOS管Q1的柵極分別連接電容C1 的一端、肖特基二極管D1的正極、三極管Q3的集電極、電阻R4的一端、MOS 管Q2的柵極，MOS管Q1的源極分別連接電阻R1的一端、三極管Q3的發射極、 肖特基二極管D1的負極、電阻R2的一端、MOS管Q2的源極，電阻R1的另一 端連接電容C1的另一端，MOS管Q2的漏極連接電源輸出端，三極管Q3的基極 分別連接電阻R3的一端、電阻R2的另一端，

所述三極管Q4的集電極連接電阻R3的另一端，三極管Q4的基極分別連接 電阻R5的一端、電阻R6的一端，電阻R5的另一端連接信號輸入端口，電阻 R6的另一端接地，三極管Q4的發射極與電阻R4的另一端均接地。

2.根據權利要求1所述的大電流雙向供電通道控制電路，其特征在于，所 述MOS管Q1和MOS管Q2均為P-MOS管。

3.一種應用于權利要求1或2所述的大電流雙向供電通道控制電路的調節 方法，其特征在于，包括：改變電容C1的電容值和電阻R4的電阻值，以調節 輸出響應緩沖時間。

4.根據權利要求3所述的大電流雙向供電通道控制電路的調節方法，其特 征在于，所述輸出響應緩沖時間ton為：

ton＝-R4*(C1+Ciss)*Ln[(VCC-0.7-VGS_th)/(VCC-0.7-VGS_th-ID/gm)]；

其中，R4為電阻R4的電阻值，C1為電容C1的電容值，Ciss為MOS管Q2 的輸入電容，VCC為輸入電壓值，VGS_th為MOS管Q2的柵極相對于源極的電壓 的閾值，ID為最大輸出負載電流，gm為MOS管Q2的跨導值。