[發(fā)明專利]一種麻醉機(jī)功率MOSFET容性負(fù)載的保護(hù)電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410542302.1 | 申請日： | 2014-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN105577154A | 公開（公告）日： | 2016-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 聶培軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京誼安醫(yī)療系統(tǒng)股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/567 | 分類號： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 路凱;胡彬 |
| 地址： | 100070 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 麻醉 功率 mosfet 負(fù)載 保護(hù) 電路 | ||
1.一種麻醉機(jī)功率MOSFET容性負(fù)載的保護(hù)電路，其特征在于，包括：變 速控制電路和邏輯控制電路；
所述變速控制電路的輸入端連接供電電源，所述變速控制電路的輸出端連 接用于控制麻醉機(jī)供電電源的功率MOSFET，所述功率MOSFET連接容性負(fù)載；
所述邏輯控制電路的輸入端連接外界的使能信號源用于接收使能信號，所 述邏輯控制電路的輸出端通過所述邏輯控制電路連接功率MOSFET，用于控制功 率MOSFET的導(dǎo)通和截止；
當(dāng)所述邏輯控制電路控制所述功率MOSFET導(dǎo)通時，所述變速控制電路用于 控制功率MOSFET軟開啟輸出特性；當(dāng)所述邏輯控制電路控制所述功率MOSFET 截止時，所述變速控制電路用于控制功率MOSFET極速關(guān)閉麻醉機(jī)供電電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種麻醉機(jī)功率MOSFET容性負(fù)載的保護(hù)電路， 其特征在于，所述變速控制電路包括：電阻R1、電阻R2、電阻R3、三極管Q2、 穩(wěn)壓二極管D1、電容C1、及電阻R4，所述電阻R1的一端、電容C1的一端、 及功率MOSFET的源極為所述變速控制電路的輸入端用于連接所述供電電源，所 述電阻R1的另一端分別連接三極管Q2的發(fā)射極、電阻R2的一端、穩(wěn)壓二極管 D1的負(fù)極，所述三極管Q2的基極分別連接電阻R2的另一端、電阻R3的一端， 所述穩(wěn)壓二極管D1的正極分別連接電容C1的另一端、電阻R4的一端、三極管 Q2的集電極、及所述功率MOSFET的柵極，所述功率MOSFET的漏極連接所述容 性負(fù)載，所述電阻R3的另一端連接所述邏輯控制電路的輸出端，所述電阻R4 的另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種麻醉機(jī)功率MOSFET容性負(fù)載的保護(hù)電路， 其特征在于，所述邏輯控制電路包括：電阻R5、電阻R6、三極管Q3，所述電 阻R5的一端為所述邏輯控制電路的輸入端用于連接外界的使能信號源，所述電 阻R5的另一端分別連接電阻R6的一端、及三極管Q3的基極，所述三極管Q3 的集電極為所述邏輯控制電路的輸出端，所述電阻R6的另一端連接三極管Q3 的發(fā)射極且接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種麻醉機(jī)功率MOSFET容性負(fù)載的保護(hù)電路， 其特征在于，所述功率MOSFET為PMOS晶體管，所述三極管Q2為PNP型三極管， 所述三極管Q3為NPN型三極管。
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