[發(fā)明專利]一種AlN外延薄膜生長方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410542286.6 | 申請日： | 2014-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN104392909A | 公開（公告）日： | 2015-03-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 許福軍;沈波;秦志新;王嘉銘;張立勝;何晨光;楊志堅 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產(chǎn)權代理有限公司 11002 | 代理人： | 薛晨光 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 aln 外延 薄膜 生長 方法 | ||
1.一種AlN外延薄膜生長方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
S1、襯底烘烤；
S2、低溫沉積AlN，形成成核層；
S3、升溫退火；
S4、以高氨氣和金屬有機源的摩爾流量比生長AlN；
S5、以低氨氣和金屬有機源的摩爾流量比生長AlN；
S6、依次、多次重復執(zhí)行步驟S4、S5。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S4中生長AlN為三維島狀生長，所述步驟S5中生長AlN為二維層狀生長。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1中烘烤溫度為1080℃－1150℃。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中，低溫沉積AlN的溫度為800-1000℃，并且采用高的氨氣和金屬有機源的摩爾流量比。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中，成核層的厚度為5-50納米。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S4中，高氨氣和金屬有機源的摩爾流量比為大于或等于4000。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S5中，低氨氣和金屬有機源的摩爾流量比為小于或等于100。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S6的執(zhí)行次數(shù)為10次-100次。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中，升溫的時間為100秒－250秒，升溫至1100℃-1250℃，并且穩(wěn)定20秒-50秒的時間。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述生長方法為金屬有機物化學氣象沉積MOCVD生長方法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
