[發明專利]發光裝置以及原子振蕩器

在審

• 申請號: 201410542232.X
• 申請日: 2014-10-14
• 公開（公告）號: CN104579337A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 西田哲朗
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H03L7/26
• 分類號: H03L7/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種發光裝置，其特征在于，包括：

第一導電型的第一半導體多層膜反射鏡；

與所述第一導電型不同的第二導電型的第二半導體多層膜反射鏡；

形成于所述第一半導體多層膜反射鏡與所述第二半導體多層膜反射鏡之間的活性層；

形成于所述第一半導體多層膜反射鏡與所述活性層之間的半絕緣型的第三半導體多層膜反射鏡；

形成于所述第三半導體多層膜反射鏡與所述活性層之間的所述第一導電型的接觸層；

與所述第一半導體多層膜反射鏡電連接的第一電極；

與所述第二半導體多層膜反射鏡電連接的第二電極；以及

與所述接觸層歐姆接觸的第三電極，

所述第三半導體多層膜反射鏡由帶隙能量比在所述活性層產生的光的能量大的材料構成。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，

在所述第一電極與所述第三電極之間通過第一電源施加電壓，

在所述第二電極與所述第三電極之間通過與所述第一電源不同的第二電源施加電壓。

3.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其特征在于，

包括使在所述活性層產生的光偏振的偏振部。

4.根據權利要求3所述的發光裝置，其特征在于，

所述活性層以及所述第二半導體多層膜反射鏡構成柱狀部，

所述偏振部包括與所述柱狀部一體地構成的半導體層，

所述偏振部通過所述半導體層對所述活性層給予變形。

5.根據權利要求4所述的發光裝置，其特征在于，

所述偏振部從所述第一半導體多層膜反射鏡以及所述活性層的層疊方向觀察，從所述柱狀部向第一方向突出，

所述第一方向是與在所述第一電極與所述第三電極之間施加有電壓的狀態下所述第三半導體多層膜反射鏡的折射率橢圓體的長軸方向或者短軸方向相同的方向。

6.一種原子振蕩器，其特征在于，

該原子振蕩器通過共振光對而使堿金屬原子產生電磁感應透明現象，

所述原子振蕩器包括：

發光裝置，其產生具有兩個不同的頻率成分的所述共振光對而照射所述堿金屬原子；和

光檢測部，其檢測透過了所述堿金屬原子的光的強度，

所述發光裝置具有：

第一導電型的第一半導體多層膜反射鏡；

與所述第一導電型不同的第二導電型的第二半導體多層膜反射鏡；

形成于所述第一半導體多層膜反射鏡與所述第二半導體多層膜反射鏡之間的活性層；

形成于所述第一半導體多層膜反射鏡與所述活性層之間的半絕緣型的第三半導體多層膜反射鏡；

形成于所述第一半導體多層膜反射鏡與所述第三半導體多層膜反射鏡之間的所述第一導電型的接觸層；

與所述第一半導體多層膜反射鏡電連接的第一電極；

與所述第二半導體多層膜反射鏡電連接的第二電極；以及

與所述接觸層歐姆接觸且與所述第三半導體多層膜反射鏡電連接的第三電極，

所述第三半導體多層膜反射鏡由帶隙能量比在所述活性層產生的光的能量大的材料構成。

7.根據權利要求6所述的原子振蕩器，其特征在于，包括：

光輸出控制部，其基于所述光檢測部輸出的檢測信號的強度，來在所述第二電極與所述第三電極之間施加電壓，而控制所述發光裝置的光輸出；和

中心頻率控制部，其基于所述光檢測部輸出的檢測信號的強度，來在所述第一電極與所述第三電極之間施加電壓，而控制所述共振光對的中心頻率。

8.根據權利要求6或7所述的原子振蕩器，其特征在于，

所述發光裝置具有使在所述活性層產生的光偏振的偏振部。

9.根據權利要求8所述的原子振蕩器，其特征在于，

所述活性層以及所述第二半導體多層膜反射鏡構成柱狀部，

所述偏振部包括與所述柱狀部一體地構成的半導體層，

所述偏振部通過所述半導體層對所述活性層給予變形。

10.根據權利要求9所述的原子振蕩器，其特征在于，

所述偏振部從所述第一半導體多層膜反射鏡以及所述活性層的層疊方向觀察，從所述柱狀部向第一方向突出，

所述第一方向是與在所述第一電極與所述第三電極之間施加有電壓的狀態下所述第三半導體多層膜反射鏡的折射率橢圓體的長軸方向或者短軸方向相同的方向。