[發明專利]相鄰阱間隔離結構的制作方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201410542152.4
• 申請日: 2014-10-14
• 公開（公告）號: CN105575875A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 陳軼群;王剛寧;孫泓;袁秉榮;陳宗高;蒲賢勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/761;H01L21/265
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種相鄰阱間隔離結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：

在襯底中形成預備阱結構；

刻蝕所述預備阱結構以形成貫穿所述預備阱結構的溝槽，并將位于所述溝槽兩側的 所述預備阱結構分別作為所述阱；

在所述溝槽中形成所述隔離結構。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述隔離結構的步驟包括：

在所述溝槽的側壁上形成側壁介質層；

形成位于所述溝槽中、所述側壁介質層之上的填充材料層，所述側壁介質層和所述 填充材料層構成所述隔離結構。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述填充材料層的步驟之前，對 所述溝槽進行離子注入以在所述溝槽底部的所述襯底中形成離子注入區，且注入離子的 導電類型與所述阱的導電類型相反。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述阱為N阱，所述離子注入區中的注 入離子為硼離子。

5.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述離子注入的步驟中，形成深度為 10nm～3μm的所述離子注入區。

6.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成所述預備阱結構的步驟包括：

在所述襯底的表面上形成氧化物層；

進行離子注入以在所述襯底中形成所述預備阱結構。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述溝槽的步驟包括：

在所述氧化物層上形成掩膜層；

依次刻蝕所述掩膜層、所述氧化物層、所述預備阱結構和所述襯底，以形成所述溝 槽。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述填充材料層的步驟包括：

形成覆蓋所述溝槽、所述側壁介質層和所述掩膜層的填充材料預備層；

在形成所述填充材料層的步驟之后，去除位于所述掩膜層上的所述填充材料預備層， 并將剩余所述填充材料預備層作為所述填充材料層；

去除剩余所述掩膜層。

9.根據權利要求2至8中任一項所述的制作方法，其特征在于，所述填充材料層為介質材 料層或多晶硅層。

10.一種半導體器件，包括至少兩個阱，以及位于相鄰所述阱之間的隔離結構，其特征在于， 所述隔離結構由權利要求1至9中任一項所述的制作方法制作而成。