[發明專利]移動裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201410541224.3
• 申請日: 2014-10-14
• 公開（公告）號: CN105576340B
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 蔡調興;邱建評;方俐媛;吳曉薇
• 申請（專利權）人: 宏達國際電子股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種移動裝置及其制造方法，該移動裝置包括：一接地元件、一輻射部、一第一短路部、一第二短路部，以及一切換元件。該輻射部具有一饋入點、一固定接地點，以及一可切換接地點。該固定接地點經由該第一短路部耦接至該接地元件。該可切換接地點經由該第二短路部和該切換元件耦接至該接地元件。該輻射部、該第一短路部、該第二短路部，以及該切換元件共同形成一天線結構。

技術領域

本發明涉及一種移動裝置，特別是涉及一種包括天線結構的移動裝置。

背景技術

隨著移動通訊技術的發達，移動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、移動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，移動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊范圍，例如：移動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊范圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。

在現有的技術中，常以固定尺寸的一金屬部作為移動裝置的天線主體，而此金屬部的長度需等于所需頻帶對應的二分之一波長或四分之一波長。傳統的設計方式限制了金屬部的大小以及形狀，增加了外觀設計的難度，而固定尺寸的金屬部也無法用于涵蓋多重頻帶。

發明內容

為解決上述問題，在優選實施例中，本發明提供一種移動裝置，包括：一接地元件；一輻射部，具有一饋入點、一固定接地點，以及一可切換接地點；一第一短路部，其中該固定接地點經由該第一短路部耦接至該接地元件；一切換元件；一第二短路部，其中該可切換接地點經由該第二短路部和該切換元件耦接至該接地元件；其中該輻射部、該第一短路部、該第二短路部，以及該切換元件共同形成一天線結構。

在一些實施例中，通過選擇性地導通或斷開該切換元件，能使得該天線結構操作于多重頻帶。在一些實施例中，該天線結構還包括：一可變電容器，其中一信號源經由該可變電容器耦接至該饋入點。在一些實施例中，通過調整該可變電容器的一電容值，能使得該天線結構操作于多重頻帶。在一些實施例中，該輻射部具有相對的一第一端和一第二端，該固定接地點較該可切換接地點更靠近該第二端，該可切換接地點較該固定接地點更靠近該第一端，而該饋入點靠近該固定接地點。在一些實施例中，當該切換元件斷開且該可變電容器提供一較大電容值時，由該固定接地點向左延伸至該第一端之間形成一第一共振路徑，而該第一共振路徑激發產生一第一低頻頻帶。在一些實施例中，該第一低頻頻帶約介于704MHz至850MHz之間。在一些實施例中，該較大電容值約為3.3pF。在一些實施例中，當該切換元件導通且該可變電容器提供一較小電容值時，由該可切換接地點向右延伸至該第二端之間形成一第二共振路徑，而該第二共振路徑激發產生一第二低頻頻帶。在一些實施例中，該第二低頻頻帶約介于850MHz至960MHz之間。在一些實施例中，該較小電容值約為0.8pF。在一些實施例中，該第一共振路徑的長度約為該第二共振路徑的長度的1.1倍至1.5倍。在一些實施例中，該第一共振路徑與該第二共振路徑至少部分重疊，且該二共振路徑的延伸方向也為反向。在一些實施例中，當該切換元件斷開且該可變電容器提供一較大電容值時，由該固定接地點至該第二端之間形成一第三共振路徑，而該第三共振路徑激發產生一高頻頻帶。在一些實施例中，該高頻頻帶約介于1710MHz至2170MHz之間，以及約介于2300MHz至2700MHz之間。在一些實施例中，當該切換元件導通且該可變電容器提供一較小電容值時，由該固定接地點至該第二端之間形成一第三共振路徑，而該第三共振路徑激發產生一高頻頻帶。在一些實施例中，該高頻頻帶約介于2170MHz至2300MHz之間。在一些實施例中，該輻射部大致為一狹長矩形平面。在一些實施例中，該輻射部大致平行于該接地元件，而該第一短路部和該第二短路部都大致垂直于該輻射部和該接地元件。在一些實施例中，該第一短路部和該第二短路部各自為一金屬彈片。在一些實施例中，該移動裝置還包括：一外殼，其中該輻射部形成該外殼的一部分。在一些實施例中，該移動裝置還包括：一或多電子零件，設置于該天線結構的該輻射部上。