[發明專利]多赫蒂放大器

有效

• 申請號: 201410540169.6
• 申請日: 2014-10-14
• 公開（公告）號: CN104660176A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 艾克斯威爾·布魯諾·讓·莫諾瓦;杰拉德·簡-路易斯·布伊斯;讓-雅克·博尼
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H03F1/07
• 分類號: H03F1/07
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 楊靜

1.一種集成多赫蒂放大器，用于在工作頻率處對輸入信號進行放大，所述集成多赫蒂放大器包括：

主放大器；

至少第一和第二峰值放大器，所述峰值放大器中的每一個包括用于接收輸入信號的柵極、源極、和用于提供已放大信號的漏極；

第一輸入移相器，設置于所述主放大器的柵極和所述第一峰值放大器的柵極之間；

第二輸入移相器，設置于所述第一峰值放大器的柵極和所述第二峰值放大器的柵極之間，其中第一輸入移相器和第二輸入移相器各自配置為在工作頻率處將輸入信號的相位移位90°；

第一電容器，配置為耦接在所述第一峰值放大器的漏極和地之間；

第一輸出移相器，設置于所述主放大器的漏極和第一峰值放大器的漏極之間，其中第一輸出移相器和第一電容器的組合配置為在工作頻率處將來自主放大器的已放大信號的相位移位90°；以及

第二輸出移相器，設置于所述第一峰值放大器的漏極和所述第二峰值放大器的漏極之間，其中第二輸出移相器與第一電容器的組合配置為在工作頻率處將來自第一峰值放大器的已放大信號的相位移位90°。

2.根據權利要求1所述的放大器，包括：

第零電容器，配置為耦接在所述主放大器的漏極和地之間；以及

第二電容器，配置為耦接在所述第二峰值放大器的漏極和地之間。

3.根據權利要求1所述的放大器，其中，所述第二輸出移相器包括串聯的初級輸出移相器接合配線和次級輸出移相器接合配線。

4.根據權利要求3所述的放大器，其中，所述第一輸出移相器的阻抗是所述初級輸出移相器接合配線和次級輸出移相器接合配線在工作頻率處的組合阻抗的兩倍。

5.根據權利要求3或4所述的放大器，其中，所述第二輸出移相器包括具有第一極板和第二極板的第二電容器，所述第一極板與所述初級輸出移相器接合配線和次級輸出移相器接合配線之間的結點相連，所述第二極板配置為耦接至地。

6.根據任一前述權利要求所述的放大器，其中，所述第一輸入移相器和第二輸入移相器各自由集成電感器來提供。

7.根據任一前述權利要求所述的放大器，其中，所述第一輸出移相器包括接合配線。

8.根據任一前述權利要求所述的放大器，其中，所述第一峰值放大器設置在管芯上，并且所述第一電容器是設置在與所述第一峰值放大器同一管芯上的集成電容器。

9.根據任一前述權利要求所述的放大器，其中，所述第一輸入移相器和/或第二輸入移相器包括隔直電容器。

10.根據任一前述權利要求所述的放大器，還包括設置在特定主放大器或峰值放大器的柵極和地之間的匹配網絡，所述匹配網絡包括串聯的電容器和電感器。

11.根據權利要求10所述的放大器，還包括設置在匹配網絡的電容器和電感器之間的結點，所述結點配置為接收針對所述特定放大器的偏置電壓。

12.根據任一前述權利要求所述的放大器，其中，所述主放大器、所述第一峰值放大器和所述第二峰值放大器設置在行中，并且每一個放大器的晶體管設置在相應列中。

13.根據任一前述權利要求所述的放大器，其中，所述多赫蒂放大器通過單一的封裝來包裝。

14.根據任一前述權利要求所述的放大器，其中，所述主放大器、所述第一峰值放大器和所述第二峰值放大器設置在單個管芯上。

15.一種電信基站，包括根據任一前述權利要求所述的多赫蒂放大器。