[發明專利]一種硅基納米激光器制備方法有效
| 申請號: | 201410539108.8 | 申請日: | 2014-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN104362512B | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發明(設計)人: | 王興軍;王勝銘;許超;葉蕊;張哲煒;周治平 | 申請(專利權)人: | 北京大學 |
| 主分類號: | H01S5/20 | 分類號: | H01S5/20;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司11002 | 代理人: | 薛晨光 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 激光器 制備 方法 | ||
1.一種硅基納米激光器制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
S1:將原料硅粉、稀土鉺鹽、稀土鐿鹽、稀土釔鹽按比例稱重,放入瓷舟內得到單晶鉺鐿釔硅酸鹽化合物原料;在洗凈的硅片表面上滴加催化劑,置于空氣中待干燥;單晶鉺鐿釔硅酸鹽化合物原料中鉺離子與鐿離子的摩爾比范圍為1:1~1:10,鉺離子與釔離子的摩爾比范圍為1:1~1:10;
S2:將所述瓷舟、所述硅片以通入氣體的出風口方向,放入煅燒爐內;打開所述煅燒爐的通氣閥,通入所述氣體;
S3:將煅燒溫度升至1080~1100℃,并保溫60~270min;降溫至600~650℃,并保溫30~60min;降溫至室溫,將納米線全面覆蓋生長在其上的所述硅片取出;
S4:將所述納米線從所述硅片上剝離,并制備成納米線溶液;在所述硅片上滴加所述納米線溶液,得到硅基納米激光器;
S5:待所述硅片干燥后,通過拉曼測試儀獲取所述硅基納米激光器的激光譜。
2.根據權利要求1所述的硅基納米激光器制備方法,其特征在于,所述步驟S1中,所述稀土鉺鹽、所述稀土鐿鹽、所述稀土釔鹽為硝酸鹽、氯酸鹽或醋酸鹽中的一種。
3.根據權利要求1所述的硅基納米激光器制備方法,其特征在于,所述步驟S1中,所述催化劑為納米金或納米銀。
4.根據權利要求1所述的硅基納米激光器制備方法,其特征在于,所述步驟S2中,所述氣體為惰性氣體或氫氣與惰性氣體的混合氣體。
5.根據權利要求1所述的硅基納米激光器制備方法,其特征在于,所述步驟S2中,所述瓷舟與所述硅片之間留有預定距離,所述預定距離為0.5~3cm。
6.根據權利要求1所述的硅基納米激光器制備方法,其特征在于,所述步驟S3中,所述納米線的直徑為600~1000nm,長度為20~100um。
7.根據權利要求1所述的硅基納米激光器制備方法,其特征在于,所述單晶鉺鐿釔硅酸鹽化合物由單晶鉺鐿硅酸鹽化合物替代,所述單晶鉺鐿硅酸鹽化合物的原料為硅粉、稀土鉺鹽以及稀土鐿鹽。
8.根據權利要求1所述的硅基納米激光器制備方法,其特征在于,所述單晶鉺鐿釔硅酸鹽化合物由單晶鉺釔硅酸鹽化合物替代,所述單晶鉺釔硅酸鹽化合物的原料為硅粉、稀土鉺鹽以及稀土釔鹽。
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