[發(fā)明專利]發(fā)光器件基板的制造方法及發(fā)光器件基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410538486.4 | 申請日： | 2014-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN104576842B | 公開（公告）日： | 2018-10-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 安范模;樸勝浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 普因特工程有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人： | 張春媛;閻娬斌 |
| 地址： | 韓國忠*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
包括如下步驟：
制造單位塊基板，切斷一次金屬基板結(jié)合體制造成多個單位塊基板，所述一次金屬基板結(jié)合體是將n(n＞1)個平板型金屬基板層疊，并在該層疊面之間形成絕緣性部件而制造，并且，制造單位塊基板時，使得其各個單位塊基板的一面借助于n-1個所述絕緣性部件劃分成能夠附著n個發(fā)光元件的區(qū)域；
制造二次金屬基板結(jié)合體，在制造成成二次金屬基板結(jié)合體時，將所述單位塊基板層疊至少m(m＞1)個，以使所述絕緣性部件位于垂直方向，并且，在該層疊面之間結(jié)合絕緣性部件和電極用金屬基板中某一個或兩個以上，在該二次金屬基板結(jié)合體的上端及下端粘合電極用金屬基板；及
制造發(fā)光器件基板，將所述二次金屬基板結(jié)合體由上端向下端切斷，制造成各個切斷面具有能夠附著m×n個發(fā)光元件區(qū)域的發(fā)光器件基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
還包括如下步驟：
形成抵至所述發(fā)光器件基板的預(yù)定深度的上寬下窄的腔，以使所有所述能夠附著發(fā)光元件的區(qū)域容納于腔底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
還包括如下步驟：
將發(fā)光元件附著于形成有腔的所述發(fā)光器件基板的能夠附著發(fā)光元件的區(qū)域中的一部分或全部，利用電線將發(fā)光元件與鄰接的能夠附著發(fā)光元件的區(qū)域或鄰接的電極用金屬基板相互進行電性連接；及
在附著的所述發(fā)光元件上部形成保護層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的某一項所述的發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
在形成所述二次金屬基板結(jié)合體的鄰接單位塊基板之間制造二次金屬基板結(jié)合體，使得順次形成所述絕緣性部件和所述電極用金屬基板及所述絕緣性部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
在形成所述二次金屬基板結(jié)合體的鄰接單位塊基板之間形成的電極用金屬基板的厚度要比粘合于所述二次金屬基板結(jié)合體的上端及下端的電極用金屬基板的厚度更厚。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
還包括如下步驟：
將具有比粘合于所述二次金屬基板結(jié)合體的上端及下端的電極用金屬基板更厚的厚度的電極用金屬基板切斷，將一個所述發(fā)光器件基板分離為兩個發(fā)光器件基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的某一項所述的發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
制造所述二次金屬基板結(jié)合體時，在形成所述二次金屬基板結(jié)合體的鄰接單位塊基板之間順次至少具有一個順次形成有所述絕緣性部件的結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的某一項所述的發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
還包括如下步驟：
將所述制造的發(fā)光器件基板分別使用絕緣性粘合部件進行接合，制造多個發(fā)光器件基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
還包括如下步驟：
具有m×n個能夠附著發(fā)光元件的區(qū)域的所述發(fā)光器件基板借助形成該基板的內(nèi)部的電極用金屬基板而分隔為多個波段區(qū)域，并且，形成抵至所述發(fā)光器件基板的預(yù)定深度的上寬下窄的各個波段區(qū)域的腔，以使形成被分隔的各個波段區(qū)域的多個能夠附著發(fā)光元件的區(qū)域能夠容納于獨立的腔底面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件基板的制造方法，其特征在于，
還包括如下步驟：
在位于各個所述波段區(qū)域的腔底面的能夠附著發(fā)光元件的區(qū)域中的一部分或全部附著發(fā)光元件，利用電線將發(fā)光元件與鄰接的能夠附著發(fā)光元件的區(qū)域或鄰接的電極用金屬基板相互進行電性連接；及
在附著的所述發(fā)光元件上部形成保護層。
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