[發明專利]半導體硅平板芯片臺面旋轉腐蝕酸及臺面旋轉腐蝕工藝

有效

• 申請號: 201410538163.5
• 申請日: 2014-10-13
• 公開（公告）號: CN104388935A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 洪忠健;徐瑛
• 申請（專利權）人: 黃山市晨曦電器有限公司
• 主分類號: C23F1/26
• 分類號: C23F1/26;C23F1/02;H01L21/02
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.半導體硅平板芯片臺面旋轉腐蝕酸，其特征在于：由發煙硝酸、氫氟酸、冰乙酸按比例混合而成，各組分體積比例為：發煙硝酸：氫氟酸：冰乙酸=2：1：0.5。

2.根據權利要求1所述的一種半導體硅平板芯片臺面旋轉腐蝕酸，其特征在于：所述發煙硝酸為濃度在98%以上的發煙硝酸。

3.一種應用權利要求1所述旋轉腐蝕酸的半導體硅平板芯片臺面旋轉腐蝕工藝，其特征在于：使用旋轉腐蝕機進行旋轉腐蝕，包括以下步驟：

（1）、檢查旋轉腐蝕機電源線連接情況，并清理旋轉腐蝕機上的雜物，將酸液桶安放到位，并檢查旋轉腐蝕機氣路、水路部分是否正常，保證旋轉腐蝕機電箱及閥門箱內有正氣壓；

（2）、根據待腐蝕平板芯片的大小選擇旋轉腐蝕機相應的卡盤并組裝到位，調節旋轉腐蝕機噴酸嘴、噴氣嘴、噴水嘴的位置及角度，要求噴酸嘴D3軸線在平板芯片臺面上緣外圓切線略偏下處，噴水嘴D1軸線在平板芯片臺面上緣外圓切線處；噴水嘴D2軸線正對芯片卡盤底部進水孔中心，噴氣嘴D4軸線垂直于平板芯片中心，并調好腐蝕時間及旋轉速度，啟動旋轉腐蝕機工作；

（3）、將平板芯片水平卡至芯片卡盤，使陽極鉬片上緣與芯片卡盤上邊緣齊平；

（4）、根據芯片直徑大小設定腐蝕時間在25s—35s范圍內，并設定旋轉腐蝕機的旋轉速度在150-300r/min范圍內，然后啟動旋轉腐蝕機；

（5）、將旋轉腐蝕機噴氣嘴D4、D5，噴水嘴D2、噴酸嘴D3依次自動打開，進行芯片臺面腐蝕；

（6）、使用去離子水沖洗芯片臺面，此時噴酸嘴D3、噴氣嘴D5關閉，噴水嘴D1、D2噴水，噴氣嘴D4噴氣，然后將噴氣嘴D4噴氣，其余噴嘴關閉，進行甩干處理；

（7）、取出芯片進行烘干處理，然后進行電參數檢驗，檢驗合格的合格品則涂硅橡膠保護芯片臺面后，再進行進行電參數高、常溫檢驗，電參數高、常溫檢驗合格后的合格品則包裝入庫；

對于首次電參數檢驗不合格品，視具體情況或返回首道工序重新臺面腐蝕或作次品報廢，電參數高、常溫檢驗不合格品，去芯片臺面硅橡膠后，返回首道工序重新臺面腐蝕。

4.根據權利要求3所述的半導體硅平板芯片臺面旋轉腐蝕工藝，其特征在于：待腐蝕平板芯片的陰極鋁膜面采用吹干燥的壓縮空氣保護工藝，首先向平板芯片的陰極面吹干燥的壓縮空氣，壓縮氣壓在0.25-0.30Mpa范圍內，壓縮空氣干燥過程流向：空氣壓縮機產生壓縮空氣流入裝有干燥劑的集氣罐，集氣罐中壓縮空氣流入裝有干燥劑的干燥塔，干燥塔中壓縮空氣經過濾球后流入旋轉腐蝕機的噴氣嘴D4，由噴氣嘴D4噴向平板芯片的陰極面。

5.根據權利要求3所述的半導體硅平板芯片臺面旋轉腐蝕工藝，其特征在于：待腐蝕平板芯片的陽極鉬片采用坐水保護工藝，旋轉腐蝕機啟動時,噴水嘴D2向芯片卡盤底部進水孔不斷注水，使上緣與卡盤上邊緣齊平的鉬片坐在水中，腐蝕過程中不斷注入的水與芯片臺面上流下的酸液在離心力作用下，被甩入廢液收集箱中，從廢液導管流出。