[發明專利]一種光學臨近修正模型的優化方法

有效

• 申請號: 201410538086.3
• 申請日: 2014-10-13
• 公開（公告）號: CN105573048B
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發明（設計）人: 舒強;王鐵柱
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務所
• 代理人: 高偉;馮永貞

本發明提供了一種光學臨近修正模型(OPC)的優化方法，包括：步驟S1：收集光學臨近修正模型中晶圓版圖的模擬數據和實際生產中實際晶圓版圖的測量數據；步驟S2：根據所述步驟S1中的所述模擬數據和測量數據，利用公式(I)計算所述模型中不同節距的關鍵尺寸和所述實際晶圓版圖中所述節距的關鍵尺寸的均方根值RMS，以對光學臨近修正模型進行評價和優化，其中，所述W_i為所述節距的關鍵尺寸的權重，CD_i(模擬)為所述模型中不同節距的關鍵尺寸的模擬值，所述CD_i(測量)為所述實際晶圓版圖中所述節距的關鍵尺寸的測量值，所述MEEF_i為所述節距的掩膜誤差增強因子。本發明的優點在于能確保OPC最終結果更加合理，具有更高的準確性。

技術領域

本發明涉及半導體領域，具體地，本發明涉及一種光學臨近修正模型的優化方法。

背景技術

集成電路制造技術是一個復雜的工藝，技術更新很快。表征集成電路制造技術的一個關鍵參數為最小特征尺寸，即關鍵尺寸(critical dimension，CD)，隨著技術的不斷發展關鍵尺寸不斷縮小，正是由于關鍵尺寸的減小才使得每個芯片上設置百萬個器件成為可能。

光刻技術是集成電路制造工藝發展的驅動力，也是最為復雜的技術之一。相對與其它單個制造技術來說，光刻技術的提高對集成電路的發展具有重要意義。在光刻工藝開始之前，首先需要將圖案通過特定設備復制到掩膜版上，然后通過光刻設備產生特定波長的光將掩膜版上的圖案結構復制到生產芯片的硅片上。但是由于半導體器件尺寸的縮小，在將圖案轉移到硅片的過程中會發生失真現象，產生光學臨近效應，如果不消除這種失真現象會導致整個制造技術的失敗。因此，為了解決所述問題可以對所述掩膜版進行光學臨近修正(Optical Proximity Correction,OPC)，所述OPC方法即為對所述光刻掩膜版進行光刻前預處理，進行預先修改，使得修改補償的量正好能夠補償曝光系統造成的光學鄰近效應。

通過OPC修正方法來校正所述光學臨近效應，OPC修正需要確保模擬結果和晶圓的實際測量結構非常接近，所述模擬結果和實際測量之間的誤差，通常稱之為擬合誤差(fitting error)，如圖1所示，當器件的關鍵尺寸為55nm時，OPC的擬合誤差在+/-1.2nm之間認為是可以接受的，但是在另外的一些情況中，掩膜誤差增強因子(MEEF)比正常情況下大，為了獲得更好的OPC效果，需要將擬合誤差控制在0.6nm之內，因此在掩膜誤差增強因子(MEEF)較大的情況下具有更小的工藝窗口。

隨著器件的尺寸的不斷縮小，為了提高器件的性能，OPC的精度和準確度都需要進一步的提高。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

本發明提供了一種光學臨近修正模型的優化方法，包括：

步驟S1：收集光學臨近修正模型中晶圓版圖的模擬數據和實際生產中物理晶圓版圖的測量數據；

步驟S2：根據所述步驟S1中的所述模擬數據和測量數據，利用公式(I)計算所述模型中不同節距的關鍵尺寸和所述物理晶圓版圖中所述節距的關鍵尺寸的均方根值RMS，以對所述光學臨近修正模型進行評價和優化，

其中，所述W_i為所述節距的關鍵尺寸的權重，CD_i(模擬)為所述模型中不同節距的關鍵尺寸的模擬值，所述CD_i(測量)為所述實際晶圓版圖中所述節距的關鍵尺寸的測量值，所述MEEF_i為所述節距的掩膜誤差增強因子。