[發明專利]半導體封裝件及其制法

在審

• 申請號: 201410537603.5
• 申請日: 2014-10-13
• 公開（公告）號: CN105575911A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 許習彰;戴瑞豐;呂長倫;陳仕卿
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02;H01L23/485;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術領域

本發明關于一種半導體封裝件及其制法，特別是指一種以導電柱 電性連接增層結構的半導體封裝件及其制法。

背景技術

目前具有增層(build-up)結構或扇出(fan-out)結構的半導體封 裝件中，常見于封裝膠體內形成多個貫穿孔，并于該封裝膠體上與該 些貫穿孔內形成線路層以電性連接增層結構的導電盲孔，但需對該些 貫穿孔與該些導電盲孔進行精準對位。

圖1A至圖1H為繪示現有技術的半導體封裝件1及其制法的剖視 示意圖。

如圖1A所示，先提供第一承載板10，并設置具有多個焊墊111 及相對的主動面11a與被動面11b的晶片11于該第一承載板10上。

接著，形成具有相對的第一表面12a與第二表面12b的封裝膠體 12于該第一承載板10上，以包覆該晶片11并外露出該晶片11的被動 面11b。

如圖1B所示，設置第二承載板13于該晶片11的被動面11b上， 并將圖1B的整體結構上下倒置，且移除該第一承載板10。

如圖1C所示，形成增層結構14于該晶片11的主動面11a與該封 裝膠體12的第一表面12a上。該增層結構14具有至少一介電層141、 多個形成于該介電層141內的導電盲孔142、及至少一形成于該介電層 141上的第一線路層143，且該第一線路層143具有多個電性接觸墊 144。

接著，形成第一絕緣保護層15于該增層結構14上，并形成多個 凸塊底下金屬層151于該第一絕緣保護層15上以分別電性連接該些電 性接觸墊144。

如圖1D所示，形成具有剝離層161的第三承載板16于該第一絕 緣保護層15上。

如圖1E所示，將圖1D的整體結構上下倒置，并移除該第二承載 板13。

如圖1F所示，藉由激光于該封裝膠體12內形成多個分別精準對 位至該些導電盲孔142的端部122的貫穿孔121，且該些貫穿孔121 貫穿該封裝膠體12以分別外露出該些導電盲孔142的端部122。

如圖1G所示，形成晶種層(seedlayer)17于該晶片11的被動面 11b、該封裝膠體12的第二表面12b及該些貫穿孔121的壁面上，并 形成第二線路層171于部分該晶種層17上以電性連接該些導電盲孔 142的端部122。之后，移除對應于該第二線路層171以外的晶種層17。

如圖1H所示，形成第二絕緣保護層18于該晶片11的被動面11b 與該封裝膠體12的第二表面12b上，該第二絕緣保護層18具有多個 開孔181以外露出該第二線路層171。之后，形成多個焊球19于該些 凸塊底下金屬層151上，藉此形成半導體封裝件1。

上述現有技術的缺點在于：當欲形成圖1F所示的貫穿孔121時， 因該增層結構14的導電盲孔142隱藏于該封裝膠體12的第一表面12a 下方，使得該激光無法自該封裝膠體12的第二表面12b精準對位至該 些導電盲孔142的端部122，以致該激光所形成的貫穿孔121易偏離該 些導電盲孔142的端部122而對位至該介電層141上，并易導致該些 貫穿孔121的孔徑123大于該些導電盲孔142的端部122的截面積， 從而破壞該些導電盲孔142周圍的介電層141。

同時，圖1G的貫穿孔121內的晶種層17與導電盲孔142的端部 122的接觸面積太小，以致該晶種層17上的第二線路層171與該些導 電盲孔142的端部122之間的導電能力不佳。此外，需增設圖1D的第 三承載板16于該第一絕緣保護層15上，以致需增加該第三承載板16 的材料成本及制程，且該半導體封裝件1的制程過于繁瑣復雜而不利 于實作。

因此，如何克服上述現有技術的問題，實已成目前亟欲解決的課 題。

發明內容

本發明提供一種半導體封裝件及其制法，無須精準對位，便可將 增層結構電性連接至導電柱。

本發明的半導體封裝件包括：封裝膠體，其具有相對的第一表面 與第二表面；半導體元件，其嵌埋于該封裝膠體內并具有相對的主動 面與被動面，且該主動面外露于該封裝膠體的第一表面；多個導電柱， 其嵌埋于該封裝膠體內，且該導電柱具有相對的第一端部與第二端部 以分別外露于該封裝膠體的第一表面及第二表面；以及增層結構，其 形成于該封裝膠體的第一表面上，并電性連接該半導體元件及該些導 電柱的第一端部。