[發明專利]采用腔面光柵的波長穩定半導體激光器

有效

• 申請號: 201410535783.3
• 申請日: 2014-10-11
• 公開（公告）號: CN104269738A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 王勇;郝永芹;馮源;鄒永剛;蘆鵬;李再金;李洋;劉丹丹;葉鎮;高占琦
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/068
• 分類號: H01S5/068;H01S5/10
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 陶尊新

1.一種采用腔面光柵的波長穩定半導體激光器，是一種邊發射半導體激光器，激光器芯片外延結構的前腔面、后腔面均覆有增透膜(1)，在后腔面增透膜(1)上沉積有增反膜(2)；其特征在于，所述增透膜(1)為Si₃N₄膜；所述增反膜(2)的膜系結構及材料為[Ge/SiO₂]³Ge；在前腔面增透膜(1)上沉積有一組平行條形增反膜(3)，由前腔面增透膜(1)和該組條形增反膜(3)構成腔面光柵(4)，腔面光柵(4)方向與所述外延結構襯底方向垂直，腔面光柵(4)占空比σ為0.2～0.3，所述條形增反膜(3)的膜系結構及材料為[Ge/SiO₂]³Ge。

2.根據權利要求1所述的采用腔面光柵的波長穩定半導體激光器，其特征在于，所述增透膜(1)的膜厚為101nm；所述增反膜(2)的膜厚為607.6nm；所述條形增反膜(3)的膜厚為607.6nm。

3.根據權利要求1所述的采用腔面光柵的波長穩定半導體激光器，其特征在于，所述腔面光柵4的周期為一級周期120nm，或者二級周期240nm。