[發(fā)明專利]一種高亮度GaN發(fā)光二極管器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410535523.6
• 申請(qǐng)日: 2014-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN104300057A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王智勇;楊翠柏;張楊;楊光輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/10
• 分類號(hào): H01L33/10;H01L33/14
• 代理公司: 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 沈波

1.一種高亮度GaN發(fā)光二極管器件的制作方法，其特征在于：該發(fā)明在P型氮化鎵上制備電流阻擋層的同時(shí)制備了金屬反射鏡材料體系；

該方法的實(shí)施過程如下，

步驟1：取外延結(jié)構(gòu)(1)，該外延結(jié)構(gòu)(1)包括藍(lán)寶石襯底(10)、N型氮化鎵層(11)、有源層(12)和P型氮化鎵層(13)；

步驟2：運(yùn)用光刻辦法，通過勻膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜，在外延結(jié)構(gòu)的P型氮化鎵(13)上制作光刻膠掩膜；運(yùn)用ICP刻蝕的方法將沒有光刻膠掩膜部分的P型氮化鎵層(13)、有源層(12)和一部分N型氮化鎵層(11)刻蝕掉，然后將光刻膠掩膜清洗干凈，最后形成N型臺(tái)階；

步驟3：采用蒸鍍或?yàn)R射方法制作金屬反射層(14)，金屬層為Ni/Ag/Pt/Au或Ti/Al/Ti/Au或其他含有Ag或Al的金屬體系，采用lift-off工藝，將電極位置以外的金屬層(14)剝離掉，形成金屬反射層(14)；

步驟4：運(yùn)用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，在整個(gè)外延層上沉積SiO₂、SiN或SiON；運(yùn)用光刻辦法，通過勻膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜在SiO₂、SiN或SiON上制作光刻膠掩膜；運(yùn)用HF或BOE溶液腐蝕掉沒有光刻膠掩膜部分的SiO₂、SiN或SiON，在金屬反射層(14)上形成電流阻擋層(15)；

步驟5：采用電子束蒸鍍、濺射或其他方式在外延層表面制備一層透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電薄膜可以是ITO或是石墨烯，然后運(yùn)用光刻辦法，通過勻膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜，制作掩膜，再采用腐蝕液將沒有光刻膠掩膜部分的透明導(dǎo)電薄膜去除后形成透明導(dǎo)電薄膜(16)；

步驟6：采用蒸鍍或?yàn)R射方法制作金屬層(17)，金屬層為Ti、Au、Pt、Al、Ni、Cr、Ag或其中的幾種組合，采用lift-off工藝，將電極位置以外的金屬層剝離掉，形成金屬電極(18)；

步驟7：在外延片表面制作一層薄膜材料(17)，薄膜材料(17)可以用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積SiO₂、SiN或SiON；

步驟8：如果薄膜材料(15)為光刻膠，運(yùn)用光刻辦法，通過勻前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜形成光刻膠掩膜，運(yùn)用HF或BOE溶液腐蝕掉沒有光刻膠掩膜部分的SiO₂、SiN和SiON，然后將光刻膠掩膜清洗干凈。