[發(fā)明專利]固態(tài)非易失性存儲單元的部分重新編程

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410534322.4
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN104332178B
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發(fā)明（設計）人: A·克利亞;V·沃迪;R·V·鮑曼
• 申請（專利權(quán)）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 何焜

1.一種用于數(shù)據(jù)管理的方法，包括

將數(shù)據(jù)寫入固態(tài)非易失性存儲單元的集合中，使得所述集合中的每個存儲單元被寫入到相關(guān)的初始編程狀態(tài)；

檢測所述集合中的所選的存儲單元的編程狀態(tài)的漂移；以及

將所選存儲單元部分地重新編程以使被選中的存儲單元返回到相關(guān)的初始編程狀態(tài)，其中，所述集合中的至少一個其它存儲單元未被部分地重新編程，

其中應用電荷的多個第一增量來將所選擇的存儲單元編程到初始化編程狀態(tài)，并且其中隨后施加電荷的多個第二增量以將所選存儲單元部分地重新編程返回到初始編程狀態(tài)，其中所述第二增量小于所述第一增量。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中固態(tài)非易失性存儲單元的所述集合包括閃存單元的行，通過在每個閃存單元的浮置柵極上累積電荷來編程所述閃存單元的行以并發(fā)存儲一頁數(shù)據(jù)。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中將每個閃存單元配置為多級單元(MLC)，從而使得存儲單元存儲兩頁的數(shù)據(jù)。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中施加第一寫入脈沖持續(xù)時間以將每一個存儲單元編程到相關(guān)的初始編程狀態(tài)，以及隨后施加第二寫入脈沖持續(xù)時間以將所選存儲單元重新編程到相關(guān)的編程狀態(tài)，第二寫入脈沖持續(xù)時間比第一寫入脈沖持續(xù)時間短。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過施加電壓閾值到所選存儲單元來檢測其編程狀態(tài)的漂移。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過響應于與所選擇的存儲單元相關(guān)的誤碼率(BER)來檢測編程狀態(tài)的漂移。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過響應于從所選定存儲單元被編程到相關(guān)的初始編程狀態(tài)起所經(jīng)過的時間來檢測編程狀態(tài)的漂移。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過響應于與所選存儲單元相關(guān)聯(lián)的溫度測量結(jié)果來檢測編程狀態(tài)的漂移。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述存儲單元是電阻隨機存取存儲器(RRAM)單元、相變隨機存取存儲器(PCRAM)單元或自旋力矩轉(zhuǎn)移隨機存取存儲器(STRAM)單元中選定的一個。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其還包括，在與所選存儲單元相關(guān)聯(lián)的控制數(shù)據(jù)中，將所選存儲單元標記為已經(jīng)過重新編程。

11.一種用于數(shù)據(jù)管理的裝置，其包括：

配置成可尋址單元的固態(tài)非易失性存儲單元的陣列；

寫入電路，適用于將數(shù)據(jù)寫入到存儲器中選定的可尋址單元，使得在所選擇的可尋址單元中的每個存儲單元具有相關(guān)聯(lián)的初始編程狀態(tài)；以及

部分重新編程電路，用于檢測所選擇的可尋址單元中的至少一個存儲單元的編程狀態(tài)的漂移，并指導寫入電路對將所選擇的可尋址單元中的不到全部存儲單元部分地重新編程到相關(guān)初始編程狀態(tài)，

其中所述寫入電路應用電荷的多個第一增量來將所選擇的可尋址單元編程到初始化編程狀態(tài)，并且其中所述寫入電路隨后施加電荷的多個第二增量以將所選可尋址單元部分地重新編程返回到初始編程狀態(tài)，其中所述第二增量小于所述第一增量。

12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，其中所選擇的可尋址單元是閃存單元的行，其中所述寫入電路累積和轉(zhuǎn)移電荷的第一增量到閃存單元以將一頁數(shù)據(jù)寫入到所述行，并且所述寫入電路累積和轉(zhuǎn)移電荷的第二增量以將所述行的閃存單元部分地重新編程，其中電荷的第二增量小于電荷的第一增量。

13.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中施加第一寫入脈沖持續(xù)時間以將每一個存儲單元編程到相關(guān)的初始編程狀態(tài)，以及隨后施加第二寫入脈沖持續(xù)時間以將所選存儲單元重新編程到相關(guān)的編程狀態(tài)，第二寫入脈沖持續(xù)時間比第一寫入脈沖持續(xù)時間短。