[發(fā)明專利]陣列基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410532850.6
• 申請日: 2014-10-10
• 公開（公告）號: CN104752436A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尹重先
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種包括具有氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管的陣列基板，包括：

柵極線和數(shù)據(jù)線，其形成在所述陣列基板上并界定像素區(qū)域，其中所述薄膜晶體管位于所述像素區(qū)域的器件區(qū)域中；

遮光圖案，其布置于所述陣列基板上的所述器件區(qū)域中；

輔助線，其與所述遮光圖案連接并給所述遮光圖案提供恒定電壓，其中所述輔助線平行于所述柵極線和數(shù)據(jù)線之一并與之間隔開；

無機材料的緩沖層，其位于所述遮光圖案和所述陣列基板的表面上，其中所述氧化物半導(dǎo)體層位于所述緩沖層和所述遮光圖案上；

層間絕緣層，其位于所述緩沖層上，

其中所述氧化物半導(dǎo)體層包括有源部和導(dǎo)電部，所述有源部完全位于所述遮光圖案上且其上形成有溝道，所述導(dǎo)電部位于所述有源部的側(cè)邊上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述輔助線布置在與所述遮光圖案不同的層上并通過第一接觸孔與所述遮光圖案連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述輔助線和所述遮光圖案形成為一體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述遮光圖案為金屬材料或半導(dǎo)體材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其中所述半導(dǎo)體材料包括非晶硅、多晶硅或氧化物半導(dǎo)體材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述氧化物半導(dǎo)體層為銦鎵鋅氧化物(IGZO)、鋅錫氧化物(ZTO)或鋅銦氧化物(ZIO)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，進一步包括位于所述氧化物半導(dǎo)體層的所述有源部上的柵極絕緣層和柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中所述柵極絕緣層位于與所述柵極對應(yīng)的區(qū)域上。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中所述柵極絕緣層位于所述緩沖層上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述薄膜晶體管為液晶顯示裝置或有機發(fā)光二極管顯示裝置的開關(guān)薄膜晶體管。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述薄膜晶體管為有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動薄膜晶體管。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，進一步包括位于所述層間絕緣層中并暴露所述氧化物半導(dǎo)體層的所述導(dǎo)電部的表面的第二接觸孔。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板，進一步包括位于所述層間絕緣層上的所述器件區(qū)域中的源極和漏極，其中所述源極和漏極分別通過第二接觸孔與所述導(dǎo)電部之一接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，進一步包括位于所述陣列基板上的第一鈍化層，其中所述第一鈍化層為無機絕緣材料或有機絕緣材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板，進一步包括位于所述第一鈍化層上的像素電極，其中所述像素電極通過漏極接觸孔與所述漏極接觸。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中在所述像素區(qū)域的所述器件區(qū)域中設(shè)置有多個薄膜晶體管，所述多個薄膜晶體管與所述遮光圖案重疊。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中在所述像素區(qū)域的所述器件區(qū)域中設(shè)置有至少兩個薄膜晶體管，所述至少兩個薄膜晶體管與所述遮光圖案重疊。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的陣列基板，其中所述至少兩個薄膜晶體管包括位于所述器件區(qū)域中的開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的陣列基板，其中所述至少兩個薄膜晶體管彼此分離，其中所述開關(guān)薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極連接。