[發明專利]一種西瓜二重砧木嫁接方法

無效

• 申請號: 201410532800.8
• 申請日: 2014-10-11
• 公開（公告）號: CN104303853A
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 趙新芳;黨繼革;代云志;李濤;吳濤;趙翠媛;劉春海;李會國;高雪萍;張慧
• 申請（專利權）人: 河北雙星種業有限公司
• 主分類號: A01G1/06
• 分類號: A01G1/06
• 代理公司: 北京中企鴻陽知識產權代理事務所(普通合伙) 11487
• 代理人: 劉葛;郭鴻雁

技術領域

本發明涉及一種水果的嫁接方法，特別是涉及一種用于西瓜的二重砧木嫁接方法。

背景技術

西瓜枯萎病俗稱“死秧病”，發病初期，病株莖蔓上的葉片自基部向前逐漸萎蔫，似缺水狀，中午更明顯，最初1、2日，早晚尚能恢復正常，數日后，植株萎蔫不再恢復，慢慢枯死，多數情況全株發病，也有的病株僅部分莖蔓發病，其余莖蔓正常。發病植株莖蔓基部稍縊縮，病部縱裂，有淡紅色(琥珀色)膠狀液溢出，根部腐爛變色，縱切根莖，其維管束部分變褐色。

防治西瓜枯萎病最有效的方法是嫁接換根。南瓜對枯萎病有絕對的抗性，根系發達，營養生長旺盛，抗枯萎病、蔓枯病、疫病和霜霉病等病害。嫁接后的西瓜，生長勢強，高度抗寒，高抗多種病害，增產幅度達30％-50％。但是南瓜嫁接有一個嚴重缺點，就是嫁接后西瓜品質會受嚴重影響，原因就是南瓜與西瓜親緣關系較遠。除南瓜之外，還有用野生西瓜進行嫁接。由于兩者親緣關系較近，親和力強，嫁接后西瓜品質不會下降。但是與南瓜相比，產量會稍有遜色。

申請號為201410161769.1的專利也提到采用多砧木嫁接西瓜的方法，由2-3個根共同供一棵西瓜苗生長，砧木為南瓜和瓠瓜，由于瓠瓜長勢比南瓜弱，并且不抗枯萎，在實際種植中會對西瓜的品質和產量造成影響。

發明內容

本發明是為了解決以上技術問題，而提供的一種使西瓜抗根部病害、產量高、品質好的二重砧木嫁接的方法。

本發明一種西瓜二重砧木嫁接方法，包括以下步驟：

一、將野生西瓜催芽、點播；待野生西瓜出土后點播南瓜，南瓜與野生西瓜點播在同一個穴里；

二、南瓜子葉展開時，將野生西瓜靠接到南瓜上；

三、在另一塊地播種西瓜；

四、西瓜出苗后，將西瓜嫁接到野生西瓜上。

本發明一種西瓜二重砧木嫁接方法，所述的步驟三中西瓜的播種方式為點播。

本發明一種西瓜二重砧木嫁接方法，所述的步驟三中西瓜的播種與步驟二中野生西瓜與南瓜靠接為同時進行。

本發明一種西瓜二重砧木嫁接方法，所述的步驟四中西瓜的嫁接時間為西瓜子葉將要展開時。

通常西瓜子葉將要展開的時間，為野生西瓜和南瓜靠接5-6d后。

本發明一種西瓜二重砧木嫁接方法，所述的步驟四中西瓜的嫁接方式為插接或者劈接。

本發明一種西瓜二重砧木嫁接的方法與現有技術不同之處在于：

1、本發明的西瓜二重砧木嫁接方法進行了二重砧木的嫁接，先是南瓜嫁接野生西瓜，然后再是野生西瓜嫁接西瓜。這種方法集合了南瓜與野生西瓜兩種砧木的優點，既保留了南瓜的高抗枯萎病的特性，也達到增產的效果，同時由于野生西瓜的存在還能保證西瓜品質不會下降，與自根苗區別不大。

2、本發明的西瓜二重砧木嫁接方法，將野生西瓜斷根，與僅將西瓜與野生西瓜嫁接的植株相比，其根系發達、活力強，植株成活率高，且產量有明顯提高。

3、本發明的西瓜二重砧木嫁接方法，申請號為201410161769.1的專利相比，不會出現兩種砧木長勢不同，導致營養輸送不均勻，或者不抗枯萎病的瓠瓜被病害引起的產量和質量的降低。本發明的西瓜二重砧木嫁接方法只用了一個南瓜根，可以有效的抗病、抗枯萎、同時提高西瓜的產量，其產量與直接將西瓜與南瓜嫁接的產量相當。

下面結合附圖對本發明的一種西瓜二重砧木嫁接方法作進一步說明。

附圖說明

圖1為采用本發明一種西瓜二重砧木嫁接方法的成功嫁接的幼苗，其中，1為西瓜接穗，2為野生西瓜中間砧，3為南瓜砧木，4為西瓜與野生西瓜的嫁接位點，5為野生西瓜與南瓜的靠接位點。

具體實施方式

實施例

本實施例的一種西瓜二重砧木嫁接方法按以下步驟進行：

一、野生西瓜催芽：首先將野生西瓜種嗑籽，將種子浸入調配好的水槽內，水槽內的水是采用兩份100℃開水和一份涼水混合后的水，混合后溫度為65℃左右，水量是種子量的5倍，然后充分攪拌；待水溫降至37℃后，用清水對種子進行反復漂洗，漂洗后的種子再用清水浸泡5-6小時，撈出放在恒溫箱(HPX-905-MPI數顯定熱培養箱，溫度為36℃-37℃)中催芽，種子剛剛露白在0.5厘米以內；

二、播種：向50kg水中加入35％福爾馬林400ml，噴撒在基質土上，再用塑料薄膜覆蓋溫土8d；揭開塑料薄膜，對土壤進行松土攪拌，24h后播種步驟一中催芽后的野生西瓜種；5d后將南瓜種子播種在同一個營養缽中；出苗前的床溫保持在27℃，出苗后保持在25℃；