[發明專利]一種大面積硫化鎘薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 201410532490.X | 申請日: | 2014-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN104701413A | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發明(設計)人: | 薛玉明;劉浩;宋殿友;李鵬海;潘洪剛;劉君;郭曉倩;朱亞東;馮少君;張嘉偉 | 申請(專利權)人: | 天津理工大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 300384 *** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大面積 硫化 薄膜 制備 方法 | ||
1.基于銅銦鎵硒襯底使用化學水浴法高氨條件下制備大面積硫化鎘薄膜制備。其特征在于:襯底由玻璃襯底上制備的MO和CIGS復合襯底構成,使用水浴鍋是帶有磁力轉子改善溫度梯度的大口徑的水浴鍋。使用不帶有緩沖劑的氨水濃度較高的化學水浴方法制備面積為10cm×10cm的CdS薄膜。
2.一種如權利要求1所述的使用化學水浴法高氨條件下制備大面積硫化鎘
薄膜制備方法,其特征在于:
1)對SLG/Mo/CIGS結構的襯底表面的清理和處理;
2)配置化學水浴所需要的試劑溶液然后將處理好的襯底放入溶液中;襯底的大小裁制為12cm×12cm;
3)將事先加熱的水浴鍋溫度恒定80℃,將含有襯底和溶質的燒杯放入水浴鍋中調節溫度使得反應充分,并且無沉淀產生。將轉子設定為140轉/分鐘;
4)反應40min后取出樣品放入1L去離子水中用超聲清洗10min。超聲頻率控制在25Hz;
5)將樣品四個邊緣裁各去1cm制成10cm×10cm避免邊緣處由于杰布斯函數不同造成的襯底物吸附。
3.根據權利要求2設定轉子轉速調節溫度使得反應充分其特征在于:在前20min使用轉子轉速為140轉/分鐘并且溫度為80℃條件下反應過程從剛開始的無顏色變化到成為渾濁的橘黃色,然后關掉轉子反應30min。達到約為50nm的厚度薄膜。
4.根據權利要求2所述基于銅銦鎵硒襯底使用化學水浴法高氨條件下制備大面積硫化鎘薄膜制備方法,其特征在于:實驗化學計量比(CH3COO)2Cd∶SC(NH2)2∶NH3=0.001M∶0.0015M∶0.05M,溫度設定為80℃,(CH3COO)2Cd為了配成0.05M取藥品量為26.652g,SC(NH2)2為配成0.5M取藥品23.124g,加入2L的去離子水攪拌均勻。將2L的(CH3COO)2Cd溶液標志成1號液,將CH3COONH4?2L溶液標志成2號液。取試劑調節試劑比例:1號液每次用20-25mL,2號液每次用25-30mL放入一個容積為2L的燒杯中,取含NH3質量比重為25%-28%的氨水37.5mL,加入去離子水稀釋成1.8L。
5.一種如權利要求2支架的使用是用下面使用兩個固定的鋸齒形支架,將樣品放在支架上垂直放置,攪拌轉子在燒杯中心處,SLG/Mo/CIGS結構的襯底表面是面向轉子處放置使得鍍膜均勻并且提供更多的吸附空位。
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





