[發(fā)明專利]一種介質(zhì)層為陽極氧化膜的薄膜電容器的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410531700.3 | 申請日： | 2014-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN104332330B | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋振國;王斌;路波;曹乾濤;胡瑩璐 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團公司第四十一研究所 |
| 主分類號： | H01G13/00 | 分類號： | H01G13/00 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司37221 | 代理人： | 張勇 |
| 地址： | 266555 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 介質(zhì) 陽極 氧化 薄膜 電容器 制造 方法 | ||
1.一種介質(zhì)層為陽極氧化膜的薄膜電容器的制造方法，其特征是：包括以下步驟：
(1)準備基片，在所述基片上沉積一層金屬或金屬化物薄膜；
(2)使用光刻腐蝕工藝將上述薄膜圖形化，形成下電極和第一下電極引出線；
(3)在下電極和第一下電極引出線上涂抹光刻膠，通過光刻工藝形成陽極氧化掩模；
(4)陽極氧化下電極，形成介質(zhì)層；
(5)在基片上沉積電極層，通過光刻腐蝕工藝將電極層圖形化，形成第二下電極引出線、上電極和上電極引出線；
所述步驟(3)中，所述陽極氧化掩模的開口區(qū)裸露出下電極并且開口區(qū)的面積大于下電極，使得下電極的表面和邊緣側(cè)面在陽極氧化時均被氧化形成絕緣層；陽極氧化掩模的厚度為1-30微米，隨著陽極氧化電壓的升高，陽極氧化掩模的厚度也隨之增加，以保證陽極氧化過程中不被擊穿；
所述步驟(5)中，上電極邊緣不超出介質(zhì)層邊緣。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(1)中，所述基片為硅、砷化鎵、藍寶石、石英、氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(1)中，所述金屬薄膜為Ta薄膜，或金屬化物薄膜為TaN薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(1)中，所述金屬或金屬化物薄膜的厚度為50-500nm。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(3)中，第一下電極引出線被陽極氧化掩模完全覆蓋。
6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(4)中，陽極氧化采用先恒流后恒壓的方式進行，電流密度設(shè)定值為0.1-10mA/mm2，氧化電壓設(shè)定為10-300V，電流密度越大，陽極氧化的速度越快，氧化電壓越高，形成的介質(zhì)層的厚度越大。
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(5)中，電極層為單層或多層金屬薄膜。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征是：所述多層金屬薄膜為TiW-Au、TaN-TiW-Au、NiCr-Au、Ni-Au或Cr-Au多層膜結(jié)構(gòu)。
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