[發明專利]一種介質層為陽極氧化膜的薄膜電容器的制造方法有效
| 申請號： | 201410531700.3 | 申請日： | 2014-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN104332330B | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發明（設計）人： | 宋振國;王斌;路波;曹乾濤;胡瑩璐 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十一研究所 |
| 主分類號： | H01G13/00 | 分類號： | H01G13/00 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產權代理有限公司37221 | 代理人： | 張勇 |
| 地址： | 266555 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 介質 陽極 氧化 薄膜 電容器 制造 方法 | ||
1.一種介質層為陽極氧化膜的薄膜電容器的制造方法，其特征是：包括以下步驟：
(1)準備基片，在所述基片上沉積一層金屬或金屬化物薄膜；
(2)使用光刻腐蝕工藝將上述薄膜圖形化，形成下電極和第一下電極引出線；
(3)在下電極和第一下電極引出線上涂抹光刻膠，通過光刻工藝形成陽極氧化掩模；
(4)陽極氧化下電極，形成介質層；
(5)在基片上沉積電極層，通過光刻腐蝕工藝將電極層圖形化，形成第二下電極引出線、上電極和上電極引出線；
所述步驟(3)中，所述陽極氧化掩模的開口區裸露出下電極并且開口區的面積大于下電極，使得下電極的表面和邊緣側面在陽極氧化時均被氧化形成絕緣層；陽極氧化掩模的厚度為1-30微米，隨著陽極氧化電壓的升高，陽極氧化掩模的厚度也隨之增加，以保證陽極氧化過程中不被擊穿；
所述步驟(5)中，上電極邊緣不超出介質層邊緣。
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(1)中，所述基片為硅、砷化鎵、藍寶石、石英、氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(1)中，所述金屬薄膜為Ta薄膜，或金屬化物薄膜為TaN薄膜。
4.如權利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(1)中，所述金屬或金屬化物薄膜的厚度為50-500nm。
5.如權利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(3)中，第一下電極引出線被陽極氧化掩模完全覆蓋。
6.如權利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(4)中，陽極氧化采用先恒流后恒壓的方式進行，電流密度設定值為0.1-10mA/mm2，氧化電壓設定為10-300V，電流密度越大，陽極氧化的速度越快，氧化電壓越高，形成的介質層的厚度越大。
7.如權利要求1所述的制造方法，其特征是：所述步驟(5)中，電極層為單層或多層金屬薄膜。
8.如權利要求7所述的制造方法，其特征是：所述多層金屬薄膜為TiW-Au、TaN-TiW-Au、NiCr-Au、Ni-Au或Cr-Au多層膜結構。
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