[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201410531317.8
• 申請日: 2010-10-12
• 公開（公告）號: CN104393007A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 小山潤;山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種半導體裝置，包括：

光電轉換元件；

第一晶體管；

第二晶體管；和

第三晶體管，

其中，所述第一晶體管的柵電極電連接至所述第二晶體管的源電極和漏電極中的一個，

其中，所述第一晶體管的所述柵電極電連接至所述第三晶體管的源電極和漏電極中的一個，

其中，所述第一晶體管的源電極和漏電極中的一個電連接至第一線，

其中，所述第二晶體管的柵電極電連接至第二線，

其中，所述第二晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個電連接至所述光電轉換元件，

其中，所述第三晶體管的柵電極電連接至第三線，

其中，所述光電轉換元件通過所述第二晶體管電連接至所述第一晶體管的所述柵電極，使得所述第一晶體管的所述柵電極能夠存儲電荷，

其中，所述第二晶體管的溝道包括第一氧化物半導體層，且

其中，所述第三晶體管的溝道包括第二氧化物半導體層。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二晶體管的溝道寬度的每微米截止態電流在1V到10V的漏電壓下為100aA/μm或更小。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一氧化物半導體層和所述第二氧化物半導體層各自都包括銦、鎵和鋅。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一氧化物半導體層中的載流子濃度低于1×10¹⁴A/cm³。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一晶體管的溝道包括晶體硅。

6.一種半導體裝置，包括：

光電轉換元件；

第一晶體管；

第二晶體管；和

第三晶體管，

其中，所述第一晶體管的柵電極電連接至所述第二晶體管的源電極和漏電極中的一個，

其中，所述第一晶體管的柵電極電連接至所述第三晶體管的源電極和漏電極中的一個，

其中，所述第一晶體管的源電極和漏電極中的一個電連接至第一線，

其中，所述第二晶體管的柵電極電連接至第二線，

其中，所述第二晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個電連接至所述光電轉換元件，

其中，所述第三晶體管的柵電極電連接至第三線，

其中，所述光電轉換元件通過所述第二晶體管電連接至所述第一晶體管的所述柵電極，使得所述第一晶體管的所述柵電極能夠存儲電荷，

其中，所述第一晶體管的溝道包括第一氧化物半導體層，

其中，所述第二晶體管的溝道包括第二氧化物半導體層，且

其中，所述第三晶體管的溝道包括第三氧化物半導體層。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二晶體管的溝道寬度的每微米截止態電流在1V到10V的漏電壓下為100aA/μm或更小。

8.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一氧化物半導體層、所述第二氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層各自都包括銦、鎵和鋅。

9.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二氧化物半導體層中的載流子濃度低于1×10¹⁴A/cm³。