[發明專利]掩膜板、掩膜板的制造方法以及OLED面板的制造方法有效
| 申請號: | 201410531214.1 | 申請日: | 2014-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN104393195A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發明(設計)人: | 李金川 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明新區公*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 制造 方法 以及 oled 面板 | ||
1.一種掩膜板的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
提供一金屬板材;
在所述金屬板材上定義出第一遮擋區域、第二遮擋區域以及位于所述第一遮擋區域和所述第二遮擋區域之間的涂布區域;
消減所述涂布區域的厚度,使得所述涂布區域的厚度低于所述第一遮擋區域和所述第二遮擋區域的厚度;
對所述涂布區域進行間隔的鏤空處理,使得所述涂布區域形成間隔設置且連接于所述第一遮擋區域和所述第二遮擋區域之間的骨架以及由所述第一遮擋區域、所述第二遮擋區域以及所述骨架圍設的鏤空區。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法進一步包括:
提供一框架,將所述經過鏤空處理后的所述金屬板材安裝到所述框架上,以制得所述掩膜板。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述消減所述涂布區域的厚度的步驟包括:
對所述涂布區域進行蝕刻,以沿所述涂布區域的厚度方向蝕刻掉部分所述涂布區域。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述對所述涂布區域進行蝕刻的步驟進一步包括:
對所述涂布區域的單面或雙面進行蝕刻。
5.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述對所述涂布區域進行間隔的鏤空處理的步驟包括:
通過蝕刻或激光切割的方式對所述涂布區域進行間隔的鏤空處理。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述將所述經過鏤空處理后的所述金屬板材安裝到所述框架上之前還包括:
去除所述金屬板材上的毛刺,使得金屬板材被切割或者蝕刻后的邊緣平滑。
7.一種掩膜板,其特征在于,所述掩膜板包括:
金屬板材,所述金屬板材包括第一遮擋區域、第二遮擋區域以及位于所述第一遮擋區域和所述第二遮擋區域之間的涂布區域,其中,所述涂布區域包括間隔設置且連接于所述第一遮擋區域和所述第二遮擋區域之間的骨架以及由所述第一遮擋區域、所述第二遮擋區域以及所述骨架圍設的鏤空區,所述骨架的厚度低于所述第一遮擋區域和所述第二遮擋區域的厚度;
框架,所述金屬板材安裝在所述框架上。
8.根據權利要求7所述的掩膜板,其特征在于,所述骨架以蝕刻單面或雙面的方式形成。
9.根據權利要求7所述的掩膜板,其特征在于,所述鏤空區以蝕刻或激光切割的方式形成。
10.一種OLED面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供第一基板;
在所述第一基板上設置權利要求7-9任意一項所述的掩膜板;
經過所述鏤空區向所述第一基板上涂布玻璃漿料,并使得所述玻璃漿料流動至所述骨架與所述第一基板之間;
移除所述掩膜板;
在所述第一基板上貼合第二基板,并利用所述玻璃漿料將所述第二基板固定至所述第一基板上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410531214.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





