[發明專利]一種銅鋅錫硫薄膜太陽電池器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201410531055.5
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104485383A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 薛玉明;劉浩;郭曉倩;李鵬海;潘洪剛;劉君;宋殿友;朱亞東;馮少君;尹富紅;高林;航偉;喬在祥;孫旭;費超;王丹青;胡有峰;安銀霞;趙雅靜;楊建成
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/072
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫硒薄膜的制備方法，其特征在于：采用共蒸發薄膜制備系統，應用快速熱蒸發后退火的制備工藝。

2.一種如權利要求1所述的銅鋅錫硫薄膜的制備方法，其特征在于：采用共蒸發薄膜制備系統，應用高溫一步共蒸發的制備工藝，制備步驟如下：

①本底真空為3.0×10^-4Pa，襯底溫度為450-500℃，Cu蒸發源溫度為1200-1400℃，ZnS蒸發源溫度為1100-1200℃，Sn蒸發源溫度為1100-1200℃，S蒸發源溫度為80-90℃，共蒸發Cu、ZnS、Sn、S四種元素，蒸發時間為10-15min

②將襯底溫度升至550-580℃，在Sn和S的氣氛下退火5min

③將襯底冷卻，保持Sn和S蒸發溫度不變，蒸發Sn和S兩種元素，當襯底溫度降至300℃時，關閉Sn和S蒸發源，再將襯底冷卻至室溫。得到的薄膜為p型直接帶隙半導體，鋅黃錫礦結構。通過調整襯底、各蒸發源溫度及共蒸時間，控制銅鋅錫硫薄膜貧銅富鋅，其中Cu/(Zn+Sn)＝0.8-1.0，Zn/Sn＝1.0-1.2，S/(Cu+Zn+Sn)約等于1。