[發明專利]電路保護結構與具有該電路保護結構的顯示裝置在審
| 申請號: | 201410529401.6 | 申請日: | 2014-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN105304622A | 公開(公告)日: | 2016-02-03 |
| 發明(設計)人: | 黃凱懋;黃霈霖;吳翊銘;閻淑萍 | 申請(專利權)人: | 元太科技工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/58 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;叢芳 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電路 保護 結構 具有 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種電路保護結構與一種具有電路保護結構的顯示裝置。
背景技術
目前的電子書或其他顯示裝置可利用GIP(Gate-driverInPanel)驅動電路來驅動顯示面板。GIP驅動電路在制作時,柵極(Gate)側的驅動集成電路(IntegratedCircuit;IC)直接設置于玻璃基板靠近邊緣的位置,以減少集成電路的使用量。GIP技術可應用于窄邊框的顯示裝置,且能降低顯示面板的成本。
然而,公知GIP驅動電路的柵極驅動器(Gate-driver)可能會因水氣進入線路或在工藝中產生刮傷的問題,進而影響顯示裝置的良率及產品的可靠度。此外,柵極驅動器通常具有以非晶硅(a-Si)材料制作的半導體層。當非晶硅材料在日照或強光的照射下,容易導致漏電問題,使柵極驅動器的輸出信號發生異常的情況。
發明內容
本發明的目的在于提供一種電路保護結構與具有該電路保護結構的顯示裝置,從而克服現有技術的上述缺陷。
本發明的一個技術方面為一種電路保護結構,應用于顯示面板中的柵極驅動器。柵極驅動器具有按序層疊的第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二金屬層與第二絕緣層。
根據本發明一個實施方式,一種電路保護結構包含保護層。保護層位于第二絕緣層上。
在本發明一個實施方式中,上述電路保護結構還包含遮光層。遮光層位于保護層上,使得保護層位于遮光層與第二絕緣層之間。
在本發明一個實施方式中,上述遮光層的材質與第一金屬層的材質相同。
在本發明一個實施方式中,上述遮光層的材質與第二金屬層的材質相同。
在本發明一個實施方式中,上述遮光層的厚度介于400至
在本發明一個實施方式中,上述遮光層與保護層重疊。
在本發明一個實施方式中,上述保護層的材質包含光阻。
在本發明一個實施方式中,上述保護層的厚度介于22000至
本發明的另一個技術方面為一種顯示裝置。
根據本發明一個實施方式,一種顯示裝置包含顯示面板與電路保護結構。顯示面板具有柵極驅動器與基板。柵極驅動器位于基板上。柵極驅動器包含第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二金屬層與第二絕緣層。第一金屬層位于基板上。第一絕緣層位于第一金屬層上。半導體層位于第一絕緣層上。第二金屬層位于半導體層上。第二絕緣層覆蓋第二金屬層與半導體層。電路保護結構位于柵極驅動器上。電路保護結構包含保護層。保護層位于第二絕緣層上。
在本發明一個實施方式中,上述電路保護結構還包含遮光層。遮光層位于保護層上,使得保護層位于遮光層與第二絕緣層之間。
在本發明一個實施方式中,上述遮光層的材質與第一金屬層的材質相同。
在本發明一個實施方式中,上述遮光層的材質與第二金屬層的材質相同。
在本發明一個實施方式中,上述遮光層的厚度介于400至
在本發明一個實施方式中,上述遮光層與保護層重疊。
在本發明一個實施方式中,上述保護層的材質包含光阻。
在本發明一個實施方式中,上述保護層的厚度介于22000至
在本發明一個實施方式中,上述顯示裝置還包含控制器。控制器電性連接柵極驅動器。
在本發明上述實施方式中,由于電路保護結構的保護層位于柵極驅動器的第二絕緣層上,因此可有效降低水氣進入柵極驅動器的電路區域的機率,并可防止柵極驅動器在后續工藝中產生刮傷的問題。如此一來,具有本發明的電路保護結構的顯示裝置可大幅提升良率及產品可靠度,使顯示裝置具有較佳的市場競爭力。
附圖說明
圖1為根據本發明一個實施方式的顯示裝置的俯視圖。
圖2為圖1的顯示裝置沿線段2-2的剖面圖。
圖3為圖2的柵極驅動器所構成的驅動電路示意圖。
圖4為根據本發明另一個實施方式的顯示裝置的剖面圖,其剖面位置與圖2相同。
圖5為根據本發明另一個實施方式的顯示裝置的俯視圖。
具體實施方式
以下將以附圖公開本發明的多個實施方式,為明確說明起見,許多具體的細節將在以下敘述中一并說明。然而,應了解到,這些具體的細節不應用來限制本發明。也就是說,在本發明部分實施方式中,這些具體的細節是非必要的。此外,為簡化附圖起見,一些公知慣用的結構與元件在附圖中將以簡單示意的方式表示。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





