[發(fā)明專利]一種薄膜衰減片的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410529013.8
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN104269597A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬子騰;王進;許延峰;朱云東
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟(101)，采用真空濺射的方法實現(xiàn)介質(zhì)基材表面金屬化；

步驟(102)，采用光刻工藝形成衰減片圖形；

步驟(103)，電鍍高純軟金，加厚導(dǎo)體電路；

步驟(104)，通過加熱的辦法對整片衰減片電路進行熱氧化調(diào)阻；

步驟(105)，使用光刻膠在衰減片的抗擊打部位定義出電鍍圖形區(qū)域；

步驟(106)，在定義圖形區(qū)域電鍍金鈷合金；

步驟(107)，使用砂輪劃切的方法分割成獨立的衰減片圖形。

2.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，所述衰減片制作時選用的基材是純度99.6％以上的氧化鋁陶瓷基片或藍寶石基片，基片的厚度范圍為：0.1mm～1mm。

3.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，步驟(101)中，介質(zhì)基材上形成的金屬化膜層結(jié)構(gòu)為TaN-TiW-Au，其中鈦：鎢質(zhì)量比為1：9。

4.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，步驟(102)中，光刻工藝的具體步驟包括：在基片上涂膠——前烘——曝光——顯影——后烘——刻蝕——去膠。

5.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，步驟(103)中，電鍍加厚軟金層厚度為1～10μm。

6.如權(quán)利要求5所述的一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，所述電鍍步驟使用氰化亞金鉀直流電鍍金，主鹽為氰化亞金鉀。

7.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，步驟(104)中，加熱時使用的設(shè)備是電爐或電加熱板，工作溫度范圍為400～700℃。

8.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，步驟(105)中，用光刻膠定義圖形的具體步驟包括：在基片上涂膠——前烘——曝光——顯影——后烘。

9.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，步驟(106)中，電鍍加厚金鈷合金厚度為1～10μm。

10.如權(quán)利要求9所述的一種薄膜衰減片的制作方法，其特征在于，所述電鍍步驟使用氰化亞金鉀直流電鍍金，主鹽為氰化亞金鉀。