[發明專利]一種銅鋅錫硫薄膜太陽電池器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201410528411.8
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104409559A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 薛玉明;劉浩;劉君;李鵬海;潘洪剛;宋殿友;朱亞東;郭曉倩;馮少君;尹富紅;高林;航偉;喬在祥;關昊;孫碩;曲慧楠;李宇;王玉昆;李鵬宇
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/072
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫硒薄膜的制備方法，其特征在于：采用共蒸發薄膜制備系統，應用底溫一步共蒸發的制備工藝。

2.根據權利要求1所述的銅鋅錫硫薄膜的制備方法，其特征在于：

本底真空為3.0×10^-4Pa，襯底溫度為300-350℃，Cu蒸發源溫度為1100-1200℃，ZnS蒸發源溫度為1000-1100℃，Sn蒸發源溫度為1000-1100℃，S蒸發源溫度為75-85℃，共蒸發Cu、ZnS、Sn、S四種元素，蒸發時間為30-50min，得到的薄膜為p型直接帶隙半導體，鋅黃錫礦結構。通過調整襯底、各蒸發源溫度及共蒸時間，控制銅鋅錫硫薄膜貧銅富鋅，其中Cu/(Zn+Sn)＝0.8-1.0，Zn/Sn＝1.0-1.2，S/(Cu+Zn+Sn)約等于1，隨后將襯底及各蒸發源冷卻至室溫。

3.根據權利要求2所述的銅鋅錫硫薄膜的制備方法，其特征在于：優選的襯底溫度為350℃，Cu蒸發源溫度為1200℃，ZnS蒸發源溫度為1100℃，Sn蒸發源溫度為1100℃，S蒸發源溫度為85℃，共蒸發Cu、ZnS、Sn、S四種元素，蒸發時間為50min。