[發(fā)明專利]一種碲鉍基熱電材料的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410528216.5 | 申請(qǐng)日： | 2014-10-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104393163B | 公開（公告）日： | 2017-11-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高遠(yuǎn);朱劉;李堅(jiān);李德全;蔣和平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L35/16 | 分類號(hào)： | H01L35/16;H01L35/34;C22C29/00;C22F1/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 511517 廣東省清遠(yuǎn)市清新縣禾*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碲鉍基 熱電 材料 制備 方法 | ||
1.一種碲鉍基熱電材料的制備方法，包括：
將所述碲鉍基晶體材料進(jìn)行粉碎，得到碲鉍基粉體材料；
所述碲鉍基粉體材料的粒度為80微米～150微米；
將碲鉍基粉體材料在熱壓壓力下升溫至熱壓溫度后保溫，得到碲鉍基熱電材料；
所述碲鉍基晶體材料具有式I所示的通式：
Te3BixSb2-x 式I；
式I中，0.4≤x≤0.6；
所述碲鉍基晶體材料的制備方法為：
將碲源、鉍源和銻源熔煉，得到合金液，所述熔煉的溫度為700℃～800℃，所述熔煉的時(shí)間為200分鐘～300分鐘；
將所述合金液進(jìn)行冷淬，得到碲鉍基晶體材料；
所述碲鉍基晶體材料的晶粒尺寸為50微米～150微米；
所述熱壓的溫度為400℃～500℃，所述熱壓的保溫時(shí)間為50分鐘～100分鐘；
所述熱壓的壓力為15MPa～20MPa；所述熱壓的升溫速率為40℃/min～60℃/min；
所述熱壓的熱壓模具包括：
上模頭，模腔，下模頭；
所述上模頭和下模頭能夠嵌入到所述模腔的內(nèi)部；
與所述模腔連接的冷卻裝置；
設(shè)置在所述模腔上的加熱裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述碲鉍基晶體材料的晶粒尺寸為80微米～120微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述冷淬的方法為水冷，所述水冷時(shí)水的溫度為20℃～30℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述粉碎的方法為交叉敲擊式粉碎。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L35-02 .零部件
H01L35-12 .結(jié)點(diǎn)引出線材料的選擇
H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應(yīng)進(jìn)行工作的
H01L35-34 .專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L35-30 ..按在結(jié)點(diǎn)處進(jìn)行熱交換的方法區(qū)分的
