[發明專利]石斛的高產種植方法有效
| 申請號: | 201410528102.0 | 申請日: | 2014-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN104303765A | 公開(公告)日: | 2015-01-28 |
| 發明(設計)人: | 馮小龍 | 申請(專利權)人: | 江蘇神草生物科技有限公司 |
| 主分類號: | A01G1/00 | 分類號: | A01G1/00;A01H4/00 |
| 代理公司: | 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234 | 代理人: | 劉述生 |
| 地址: | 215228 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石斛 高產 種植 方法 | ||
1.一種石斛的高產種植方法,其特征在于,步驟包括:
一.離體育苗:
配置不定芽誘導培養基,并對不定芽誘導培養基進行消毒殺菌;
選擇石斛的無病蟲害的葉片和嫩莖作為外植體,用消毒過的刀具將外植體剪下來,所述外植體的長度為0.5cm-1cm;
將外植體放入不定芽誘導培養基中進行培養;
15-20天后,配置增殖培養基,并對增殖培養基進行消毒殺菌;
選擇長出新芽的外植體,將帶有新芽的外植體放入到增殖培養基中,培養10-15天;
配置生根培養基,并對生根培養基進行消毒殺菌;
選擇長出叢芽的外植體,并將其放入到生根培養基中進行培養;
二.移植培育:
選擇濕潤、弱光、通風、砂質土壤的種植田,并結合深耕施基肥;
在種植田中作寬30-40cm,長100-120cm,高15-17cm的畦;
在種植田上搭1.5-2.0m的蔭棚,蔭棚中的溫度為15-30℃,濕度為60%—90%;
在種植田中均勻的播撒樹皮、木屑和苔蘚;
20-30天后,選擇具有發達根系的外植體作為再生植株,并在再生植株的根部包裹一層苔蘚;
按照10-20cm的株行距,將再生植株移栽到種植田內,用細砂或小礫石填埋至7-10cm?,壓緊后澆定根水;
栽種后第二年開始,在3-4月和10-11月里,進行一次除草并追施腐熟農家肥的上清液;
每年在5-10月間,每隔1-2個月,用質量比為2%的過磷酸鈣或1%的硫酸鉀進行根外施肥;
每年春季發芽前或采收石斛時,應剪去部分老枝和枯枝,以及生長過密的莖枝,使得蔭蔽度為55%-65%;
三.采收:
栽培2-3年后,在10-4月間進行采收時,用剪刀或鐮刀從莖基部將老植株剪下來,保留嫩株。
2.根據權利要求1所述的石斛的高產種植方法,其特征在于,在離體培養時,培養溫度25℃~28℃,每天光照9-10?小時,光照強度為1800~1900lx。
3.根據權利要求1所述的石斛的高產種植方法,其特征在于,所述基肥的成分及成分及其組分包括:50-80份的油餅、80-100份的豆渣、40-60份的牛糞、40-60份的豬糞、60-80份的肥泥、20-30份的附著肥料、10-20份的磷肥和5-10份的氮肥。
4.根據權利要求1所述的石斛的高產種植方法,其特征在于,所述不定芽誘導培養基的成分包括:MS培養基、糖35g/L、瓊脂3.7g/L和椰子汁100ml/L。
5.根據權利要求1所述的石斛的高產種植方法,其特征在于,所述增殖培養基的成分包括:MS培養基、NAA?0.1g/L、6-BA?0.2g/L、脯氨酸0.3g/L、糖35g/L、香蕉100g/L和瓊脂3.7g/L。
6.根據權利要求1所述的石斛的高產種植方法,其特征在于,所述生根培養基的成分包括:1/2MS培養基、NAA?0.2g/L、6-BA?0.1g/L、脯氨酸0.3g/L、糖35g/L、瓊脂3.7g/L和香蕉100g/L。
7.根據權利要求4或5或6所述的石斛的高產種植方法,其特征在于,所述不定芽誘導培養基、所述增殖培養基和所述生根培養基的PH值為5.6—5.8。
8.根據權利要求3所述的石斛的高產種植方法,其特征在于,附著肥料包括油腳、豬毛、豆渣或人發中的一種或多種。
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