[發(fā)明專(zhuān)利]仿真系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410528021.0
• 申請(qǐng)日: 2014-10-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105573924B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許國(guó)泰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹集成電路有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F12/16
• 分類(lèi)號(hào): G06F12/16
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發(fā)明公開(kāi)了一種仿真系統(tǒng)，仿真芯片通過(guò)第一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)對(duì)SRAM存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)操作；管理模塊通過(guò)通信接口從集成開(kāi)發(fā)環(huán)境接收指令，通過(guò)第一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)對(duì)SRAM存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)操作，通過(guò)控制信號(hào)控制仿真芯片進(jìn)入或退出復(fù)位狀態(tài)，通過(guò)第二標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)操作；用戶(hù)在集成開(kāi)發(fā)環(huán)境上通過(guò)通信接口向管理模塊發(fā)出保存數(shù)據(jù)指令；仿真芯片進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)后，不能通過(guò)第一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)操作SRAM存儲(chǔ)器；仿真芯片退出復(fù)位狀態(tài)后，仿真芯片能通過(guò)第一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)操作SRAM存儲(chǔ)器。本發(fā)明使用SRAM替代芯片的非易失性存儲(chǔ)器，模擬等效實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的掉電數(shù)據(jù)不丟失的特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及仿真器領(lǐng)域，特別是涉及一種仿真系統(tǒng)。

背景技術(shù)

處理器芯片內(nèi)有用戶(hù)開(kāi)發(fā)的用戶(hù)程序，在用戶(hù)程序的編寫(xiě)和調(diào)試中，所使用的工具一般是處理器芯片仿真器。仿真器內(nèi)使用包含產(chǎn)品處理器芯片各項(xiàng)功能的仿真芯片，用于模擬產(chǎn)品處理器芯片的工作行為，仿真芯片與仿真器其他部件(存放用戶(hù)程序的程序存儲(chǔ)器、存放數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，以及用戶(hù)電腦上的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境等)配合實(shí)現(xiàn)用戶(hù)程序的仿真運(yùn)行和各項(xiàng)調(diào)試功能。

由于芯片廠(chǎng)商的同一系列芯片產(chǎn)品的存儲(chǔ)器特性和大小可能有所不同，同時(shí)考慮使用仿真器調(diào)試用戶(hù)程序時(shí)主要關(guān)注功能調(diào)試，不關(guān)注存儲(chǔ)器的性能，現(xiàn)有的針對(duì)同一系列芯片的仿真器通常是同一種仿真器系統(tǒng)，采用SRAM(Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)來(lái)等效替代產(chǎn)品芯片中用作程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的各種特性的非易失性存儲(chǔ)器，包括EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)等非易失性存儲(chǔ)器，在讀取、執(zhí)行用戶(hù)程序，以及寫(xiě)入、讀取數(shù)據(jù)時(shí)，功能上是等效的。同時(shí)，由于SRAM的讀寫(xiě)壽命一般都遠(yuǎn)大于非易失性存儲(chǔ)器，鑒于仿真器經(jīng)常要下載和讀取用戶(hù)程序、讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的特點(diǎn)，在仿真器中使用SRAM等效替代產(chǎn)品芯片的非易失性存儲(chǔ)器作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器可以延長(zhǎng)仿真器的使用壽命。同時(shí)SRAM讀寫(xiě)速度一般要高于非易失性存儲(chǔ)器，也有助于提高調(diào)試效率(程序下載速度、執(zhí)行速度、數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度等)，因此，現(xiàn)有仿真器中都是以SRAM等效替代產(chǎn)品芯片的非易失性存儲(chǔ)器作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的，這種做法是合理的。

但是，非易失性存儲(chǔ)器除了讀寫(xiě)擦除等功能特性外，還具有數(shù)據(jù)掉電不丟失的特性；而SRAM掉電后數(shù)據(jù)丟失，無(wú)法直接模擬掉電數(shù)據(jù)不丟失特性。如果在仿真器下電后，令SRAM進(jìn)入非片選狀態(tài)，并使用電池給SRAM供電，雖然可以使其具有等效的掉電不丟失數(shù)據(jù)的特性，但因?yàn)镾RAM靜態(tài)電流的存在，電池使用不了很長(zhǎng)時(shí)間，并不是一個(gè)好的解決方案。如果以Flash等非易失性存儲(chǔ)器替代SRAM，因?yàn)樽x寫(xiě)時(shí)序和操作特性不同，頁(yè)大小不同等，還必須做較為復(fù)雜的接口轉(zhuǎn)換工作，耗時(shí)且影響穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種仿真系統(tǒng)，使用SRAM替代芯片的非易失性存儲(chǔ)器，模擬等效實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的掉電數(shù)據(jù)不丟失，重新上電后上次掉電時(shí)的數(shù)據(jù)仍然存在的特性。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的仿真系統(tǒng)，包括處理器芯片仿真器和安裝在電腦上的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境；所述處理器芯片仿真器包括仿真芯片，SRAM存儲(chǔ)器，管理模塊，非易失性存儲(chǔ)器；

所述仿真芯片通過(guò)第一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)對(duì)SRAM存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)操作；所述管理模塊通過(guò)通信接口從集成開(kāi)發(fā)環(huán)境接收指令；該管理模塊通過(guò)第一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)對(duì)SRAM存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)操作；所述管理模塊通過(guò)控制信號(hào)控制仿真芯片進(jìn)入或退出復(fù)位狀態(tài)；該管理模塊通過(guò)第二標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)操作；

用戶(hù)在所述集成開(kāi)發(fā)環(huán)境上通過(guò)通信接口向管理模塊發(fā)出保存數(shù)據(jù)指令；仿真芯片進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)后，不能通過(guò)第一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)操作SRAM存儲(chǔ)器；仿真芯片退出復(fù)位狀態(tài)后，仿真芯片能通過(guò)第一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)/地址總線(xiàn)操作SRAM存儲(chǔ)器。