[發明專利]堆棧式N型晶體管以及靜電保護電路在審
| 申請號： | 201410526102.7 | 申請日： | 2014-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN104269440A | 公開（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發明（設計）人： | 單毅 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 堆棧 晶體管 以及 靜電 保護 電路 | ||
1.一種堆棧式N型晶體管，其特征在于，包括：
半導體襯底，所述半導體襯底內包括器件區；
N型注入區，位于所述器件區內；
所述N型注入區兩側分別對稱設置至少兩個NMOS晶體管，所述N型注入區與相鄰的所述NMOS晶體管的漏極相連；
所述N型注入區的表面區域內形成有N型連接區；
其中，距離所述N型注入區最遠的所述NMOS晶體管的源極形成N型深摻雜區。
2.如權利要求1所述的堆棧式N型晶體管，其特征在于，所述N型注入區為N阱。
3.如權利要求2所述的堆棧式N型晶體管，其特征在于，與所述N型注入區相鄰的兩個所述NMOS晶體管的漏極與所述N型注入區部分重疊。
4.如權利要求3所述的堆棧式N型晶體管，其特征在于，兩個所述漏極與所述N型連接區之間分別形成有偽柵。
5.如權利要求1所述的堆棧式N型晶體管，其特征在于，所述半導體襯底包括有一互連區，所述互連區與所述器件區之間通過淺溝槽結構隔離。
6.如權利要求5所述的堆棧式N型晶體管，其特征在于，所述互連區為P型摻雜區。
7.如權利要求5所述的堆棧式N型晶體管，其特征在于，所述半導體襯底還包括P阱，所述器件區與所述互連區均為于所述P阱內。
8.如權利要求1所述的堆棧式N型晶體管，其特征在于，所述N型注入區一側的NMOS晶體管的數量為兩個、三個或四個。
9.一種靜電保護電路，其特征在于，包括至少兩個并列設置于同一半導體襯底內的堆棧式N型晶體管，所述堆棧式N型晶體管為如權利要求1-8任意一項所述的堆棧式N型晶體管，每個所述NMOS晶體管的柵極以及距離所述N型注入區最遠的NMOS晶體管的源極均接地，所述N型連接區接外部電路。
10.如權利要求9所述的靜電保護電路，其特征在于，每個相鄰的所述器件區內遠離距離所述N型注入區最遠的NMOS晶體管的源極重疊。
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