[發(fā)明專利]NOR閃存結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410526043.3
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104269408A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 謝振;郭強;陳宏領
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種NOR閃存結構。

背景技術

NOR閃存(NOR?flash)和NAND閃存(NAND?flash)是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR?flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND?flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。

NOR閃存更適合存儲少量的代碼，而NAND閃存則是高數據存儲密度的理想解決方案。NOR閃存的特點是芯片內執(zhí)行(XIP,Execute?In?Place)，這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR閃存的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益。

目前Nor?flash產品的應用越來越廣泛，對性能的要求越來越高，在高頻下正常工作是對市面上Nor?flash產品的基本要求，為了確保這一點，需要在生產完成后的測試階段對Nor?flash做有效的分揀，從而剔除不符合要求的Nor?flash。

目前在Nor?flash芯片的制造過程中，不可避免的會出現(xiàn)一些缺陷，由于芯片版圖設計不夠優(yōu)化，這些缺陷在一般情況下不會導致明顯的功能失效，但是在特定條件下會引起問題。其中常見的一種就是用于給字線供壓的第二層金屬連線(Metal?2)出現(xiàn)斷線情況，這種類型的缺陷在較低的頻率條件下沒有問題，只有在高頻下才會引起問題。

具體的，請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術中NOR?flash的剖面示意圖，包括襯底10、形成在襯底10中的淺溝槽隔離11、形成在襯底10上的多個存儲單元20、形成在多個存儲單元20上的字線(WL)30、形成在字線30上的金屬硅化物40以及與金屬硅化物40通過通孔連線50相連的第二金屬連線60。其中，存儲單元20均是陣列排列，每一條字線30均需要控制大量的存儲單元20。在大多數的制程中，字線30采用多晶硅材質，表面生成金屬硅化物40來降低阻值。操作字線30用到的電壓一般是用平行于字線30的第二金屬連線60引入(如圖1中箭頭所示)，第二金屬連線60通過多個通孔連線50與字線30連接確保供壓的效率與準確性。

然而，正如上文所說，第二層金屬連線60經常出現(xiàn)斷線情況，在現(xiàn)有的結構中，即使第二層金屬連線60在制造過程中發(fā)生了斷線或者類似的缺陷，由于第二層金屬連線60與字線30之間有多個通孔連線50作為連接點，并且字線30表面的金屬硅化物40也會導電，導致在低頻下電壓傳輸良好，不會致使NORflash功能失效，然而，該缺陷會導致NOR?flash在高頻下就會出現(xiàn)性能問題。

為了確保NOR?flash在測試時能被分揀出，通常的做法是購買高性能的測試機臺，做高質量的測試探針卡，在探針(CP)階段便進行高頻測試，從而能夠更加精確的測試出存在上述缺陷的NOR?flash。但是這必然造成測試成本的急劇上升。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種NOR閃存結構，便于測試出第二金屬連線斷線的缺陷，提高分揀精度，降低分揀成本。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種NOR閃存結構，包括：襯底、多個存儲單元、字線、金屬硅化物、多個通孔連線及金屬連線，其中，所述存儲單元形成在所述襯底上，所述字線形成在所述存儲單元上，所述金屬硅化物形成在所述字線的表面，所述金屬連線通過所述通孔連線與所述金屬硅化物相連，所述字線設有多個斷點形成多個字線段，所述字線段之間相互隔離開，所述通孔連線與所述字線段一一對應。

進一步的，多個字線段的長度相等或者不等。

進一步的，所述存儲單元與所述字線段一一對應。

進一步的，所述襯底內設有多個淺溝槽隔離，所述淺溝槽隔離形成于所述存儲單元之間。

進一步的，所述淺溝槽隔離為二氧化硅。

進一步的，所述字線為多晶硅。

進一步的，所述金屬硅化物為CoSi₂。

進一步的，所述通孔連線及金屬連線為銅。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在：在字線上設有多個斷點形成字線段，字線段之間相互隔離開每個字線段均通過通孔連線與金屬連線相連，在進行測試時，金屬連線提供相應的電壓，若金屬連線出現(xiàn)斷線缺陷，斷點以后的字線將得不到供壓，無論在高頻還是低頻下會導致操作失效，無需進行高頻測試也能確保金屬連線的斷線缺陷測試階段全部被分揀出來，從而能夠及時發(fā)現(xiàn)，提高分揀精度，且無需額外設備，降低分揀成本。