[發明專利]半導體芯片及包括該半導體芯片的半導體集成電路

無效

• 申請號: 201410525755.3
• 申請日: 2014-10-08
• 公開（公告）號: CN104517636A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 邊相鎮;高在范;辛尚勛
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/4074
• 分類號: G11C11/4074
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 謝順星;張晶

1.一種半導體芯片，其包括：

內電壓產生電路，其適于產生具有預定電平的內電壓；

目標內部電路，其適于采用所述內電壓執行預定操作；以及

控制電路，其適于基于由所述目標內部電路產生的操作結果信號檢測所述目標內部電路的操作速度，并基于所檢測到的操作速度產生控制信號；

其中用于所述目標內部電路的內電壓的電壓電平基于所述控制信號進行控制。

2.如權利要求1所述的半導體芯片，其中所述控制電路包括：

操作速度檢測單元，其適于在測試模式下基于所述目標內部電路的操作開始信號和所述操作結果信號檢測所述操作速度，并產生對應于所檢測到的操作速度的操作速度檢測信號；以及

控制信號產生單元，其適于在所述測試模式下基于所述操作速度檢測信號產生所述控制信號。

3.如權利要求2所述的半導體芯片，其中所述操作開始信號在所述測試模式下從外部接收，或者所述操作開始信號由所述控制電路產生。

4.如權利要求1所述的半導體芯片，進一步包括適于存儲所述控制信號的存儲電路。

5.如權利要求4所述的半導體芯片，其中所述存儲電路包括寄存器電路或熔絲電路。

6.如權利要求1所述的半導體芯片，其中所述內電壓產生電路包括：

參考電壓產生單元，其適于產生參考電壓，所述參考電壓具有基于所述控制信號進行控制的電壓電平；以及

內電壓產生單元，其適于產生對應于所述參考電壓的所述內電壓。

7.一種半導體芯片，其包括：

多個內電壓產生電路，其適于產生多個內電壓并基于多個控制信號分別控制所述內電壓的電壓電平；

多個存儲器區域，其適于采用各自的所述內電壓執行數據讀取操作；以及

控制電路，其適于基于從所述存儲器區域讀取的多個數據檢測各自的所述存儲器區域的操作速度，并基于各自的檢測到的操作速度產生所述控制信號。

8.一種具有多個堆疊的半導體芯片的半導體集成電路，其包括：

第一半導體芯片，包括多個第一內電壓產生電路和多個第一存儲器區域，所述多個第一內電壓產生電路適于產生分別提供給各自的第一存儲器區域的多個第一內電壓，并基于多個第一控制信號控制所述第一內電壓的電壓電平，并且所述多個第一存儲器區域適于采用所述第一內電壓執行數據讀取操作；

第二半導體芯片，包括多個第二內電壓產生電路和多個第二存儲器區域，所述多個第二內電壓產生電路適于產生分別提供給各自的第二存儲器區域的多個第二內電壓，并基于多個第二控制信號控制所述第二內電壓的電壓電平，并且所述多個第二存儲器區域適于采用所述第二內電壓執行數據讀取操作；以及

第三半導體芯片，其包括控制電路，所述控制電路適于基于從所述第一半導體芯片讀取的多個第一數據和從所述第二半導體芯片讀取的多個第二數據檢測各自的所述第一存儲器區域和所述第二存儲器區域的操作速度，并基于各自的檢測到的操作速度產生所述第一控制信號和所述第二控制信號。