[發明專利]一種紫外LED外延有源區結構生長方法有效
| 申請號： | 201410524927.5 | 申請日： | 2014-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN104282808B | 公開（公告）日： | 2017-06-06 |
| 發明（設計）人： | 王曉波 | 申請（專利權）人： | 西安神光皓瑞光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司61211 | 代理人： | 胡樂 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紫外 led 外延 有源 結構 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種紫外LED外延有源區結構生長方法，其中生長若干個周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱壘層的環節作為有源區，y>x，其中AlxGa1-xN作為阱層，AlyGa1-yN作為壘層；其特征在于：壘層AlyGa1-yN的Al組分在有源區生長過程是遞增變化的,即y值始于a終于b，1>b>a>x>0，其中a的取值范圍為b的1/3～1/2。
2.根據權利要求1所述的紫外LED外延有源區結構生長方法，其特征在于：所述遞增變化具體為連續變化、梯度變化或者混合梯度變化。
3.根據權利要求2所述的紫外LED外延有源區結構生長方法，其特征在于：所述遞增變化具體為連續變化。
4.一種紫外LED外延生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
藍寶石襯底上生長一層低溫AlN；
生長一層高溫AlN；
生長若干個周期AlN/AlGaN超晶格結構層；
生長一層摻雜硅烷的n型AlGaN層；
按照權利要求1所述的紫外LED外延有源區結構生長方法，生長若干個周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱壘層；
生長一層摻雜鎂p型AlGaN阻擋層；
生長一層摻雜鎂p型GaN接觸層；
氮氣氛圍下退火。
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