[發明專利]使用建模、反饋和阻抗匹配來控制蝕刻速率

有效

• 申請號: 201410524866.2
• 申請日: 2014-10-08
• 公開（公告）號: CN104518753B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 布拉德福德·J·林達克;約翰·C·小瓦爾考;阿列克謝·馬拉霍塔諾夫;塞得·亞法·亞法莉安-特哈利;陳志剛
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H03H11/28
• 分類號: H03H11/28;C30B33/12
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種用于實現蝕刻速率的方法，其包括：

從傳感器接收在射頻(RF)產生器的輸出測量的變量值，其中所述傳感器耦結至所述射頻產生器的所述輸出，其中所述測量的值與處理等離子體室中的工件關聯，其中所述等離子體室通過RF傳輸線耦結至阻抗匹配電路，其中所述RF產生器的所述輸出通過RF電纜耦結至所述阻抗匹配電路；

經由所述阻抗匹配電路的計算機產生的模型來傳送所述測量的變量值，以在所述計算機產生的模型的輸出處產生所述變量的計算的值；

識別與所述變量的所述計算的值關聯的計算的處理速率；

基于所述計算的處理速率來識別要實現的預先確定的處理速率；

基于所述預先確定的處理速率，識別要在所述計算機產生的模型的所述輸出處實現的預先確定的變量；

識別與所述預先確定的變量的實部關聯的第一特征，其中所述第一特征是所述阻抗匹配電路內的第一可變電路組件的特征；

控制所述第一可變電路組件，以實現所述第一特征，從而進一步實現所述預先確定的變量的所述實部；

識別與所述預先確定的變量的虛部關聯的第二特征，其中所述第二特征是所述阻抗匹配電路內的第二可變電路組件的特征；以及

將信號發送給所述第二可變電路組件，以實現所述第二特征，從而進一步實現所述預先確定的變量的所述虛部。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述變量所述計算的值包含復電壓和電流。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一可變電路組件包含電容器，并且所述第一特征包含所述電容器的電容。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述第二可變電路組件包含電容器，并且所述第二特征包含所述電容器的電容。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一可變電路組件包含電感器，并且所述第一特征包含所述電感器的電感。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述第二可變電路組件包含電感器，并且所述第二特征包含所述電感器的電感。

7.如權利要求1所述的方法，還包括：

將信號發送給所述RF產生器的控制器，以改變所述RF產生器的操作頻率，從而實現所述預先確定的處理速率。

8.如權利要求7所述的方法，其中，處理所述工件包括蝕刻所述工件或者在所述工件上沉積材料。

9.如權利要求1所述的方法，其中，所述第二可變電路組件耦結至所述阻抗匹配電路的電感器。

10.如權利要求9所述的方法，其中，所述電感器耦結至所述等離子體室。

11.如權利要求1所述的方法，其中，所述RF產生器耦結至所述第一可變電路組件和所述第二可變電路組件。

12.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一可變電路組件和所述第二可變電路組件中的每個耦結至所述RF產生器的所述輸出。

13.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一可變電路組件耦結至所述第二可變電路組件。

14.如權利要求1所述的方法，其中，所述方法被用于處理半導體晶片以制造集成電路。

15.如權利要求1所述的方法，其中，經由所述計算機產生的模型來傳送所述變量的測量值包括計算定向和，所述定向和是所述變量的測量值與作為所述計算機產生的模型的電路元件的特征的一個或一個以上的值的定向和。

16.如權利要求1所述的方法，其中，所述計算的處理速率包括蝕刻速率或者沉積速率，其中，當實現所述變量的計算的值便于實現所述計算的處理速率時，所述計算的處理速率與所述變量的計算的值關聯。