[發明專利]摻雜方法在審
| 申請號： | 201410522243.1 | 申請日： | 2014-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN105529251A | 公開（公告）日： | 2016-04-27 |
| 發明（設計）人： | 沈培俊;金光耀;王懿喆;陳炯 | 申請（專利權）人： | 上海晶璽電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/266 | 分類號： | H01L21/266;H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 200092 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 方法 | ||
1.一種摻雜方法，其特征在于，其包括以下步驟：
S1：通過熱擴散工藝在第一導電類型襯底的正面中形成第一導電類型摻 雜層，并且在擴散摻雜過程中在該第一導電類型摻雜層上形成第一氧化層；
S2：在第一導電類型襯底的背面上淀積形成第二導電類型摻雜源；
S3：圖形化蝕刻該第二導電類型摻雜源以暴露出預定區域的第一導電類 型襯底；
S4：通過離子注入的方式在該預定區域的表面中形成第一導電類型摻雜 區域；
S5：在退火的同時使該第二導電類型摻雜源中的第二導電類型離子擴散 至該第一導電類型襯底中形成第二導電類型摻雜區域。
2.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S1之前包括步驟 S0：在該第一導電類型襯底的正面和背面形成絨面。
3.如權利要求1或2所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S1之后、步 驟S2之前還包括：蝕刻該第一導電類型襯底的背面的邊緣并拋光該第一導 電類型襯底的背面。
4.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S3中通過激光或 者蝕刻漿料來蝕刻預定區域的第二導電類型摻雜源。
5.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，該第一氧化層為第一 導電類型摻雜硅玻璃，和/或，該第二導電類型摻雜源為第二導電類型摻雜硅 玻璃。
6.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S5之后包括：去 除該第一氧化層和該第二導電類型摻雜源。
7.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S1中的熱擴散工 藝為背靠背擴散。
8.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S2中通過APCVD 淀積該第二導電類型摻雜源。
9.如權利要求1-8中任意一項所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S4 和步驟S5替換為：
步驟SP：通過熱擴散工藝在該預定區域的表面中形成第一導電類型摻 雜區域，同時使該第二導電類型摻雜源中的第二導電類型離子擴散至該第一 導電類型襯底中形成第二導電類型摻雜區域。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
