[發明專利]半導體發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410521672.7
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104835892B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 野津俊介
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊海榮;穆德駿

提供發光效率高且元件電阻低的半導體發光元件及其制造方法。由第一透明電極(TE1)和包含10重量％以下濃度金屬原子的第二透明電極(TE2)構成透明電極(TE)。在俯視下與p側焊盤電極pED重疊的區域設置第一透明電極(TE1)，在俯視下與p側焊盤電極pED重疊的區域以外的區域設置第二透明電極(TE2)。第二透明電極(TE2)與p型接觸層pCN的接觸電阻低于第一透明電極(TE1)與p型接觸層pCN的接觸電阻，因此由p側焊盤電極pED注入的電流向第二透明電極(TE2)擴散，從而高效地向在俯視下與p側焊盤電極pED重疊的區域以外的區域的有源層AC注入，因此發光效率提高。另外第二透明電極(TE2)與p型接觸層pCN的接觸電阻低因此元件電阻降低。

技術領域

本發明涉及半導體發光元件及其制造技術，例如可以優選用于具有透明電極的半導體發光元件及其制造。

背景技術

例如日本特開2008-10546號公報(專利文獻1)中記載了一種半導體發光元件，其依次層疊有：半導體基板、發光層形成部、構成光提取面的窗口層、第一透光性層和具有導電性的第二透光性層。該半導體發光元件中，第一透光性層作為阻止第二透光性層的構成原子向窗口層側擴散的防擴散膜發揮功能。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-10546號公報

發明內容

發明要解決的課題

作為光電耦合器用光源，使用具有透明電極的半導體發光元件。該半導體發光元件具有例如在n型基板的第一面上依次層疊有半導體層和透明電極的結構，并設置有在透明電極上與透明電極的一部分電連接的p側焊盤電極(パッド電極)、以及與和n型基板的第一面的相反一側的第二面電連接的n側電極。上述半導體層例如由從n型基板側開始依次層疊的n型包覆層、有源層、p型包覆層和p型接觸層構成。但是，由p側焊盤電極正下方的半導體層發出的光被p側焊盤電極隔斷，無法向半導體發光元件的外部充分提取出，具有無法得到高發光效率的課題。

其他課題和新特征從本說明書的記載和附圖可知。

解決課題的手段

一個實施方式的半導體發光元件具備：基板形成在基板的第一面上的半導體層、形成在半導體層的第一區域上的第一透明電極、形成在半導體層的第一區域以外的第二區域上的第二透明電極、形成在第一透明電極上且與第一透明電極的一部分電連接的第一電極、和形成在基板的第二面上的第二電極。第二透明電極包含濃度為10重量％以下的金屬原子。第二透明電極與半導體層的接觸電阻為1×10^-4Ω·cm²以下。

發明效果

根據一個實施方式，能夠提供發光效率高、并且元件電阻低的半導體發光元件。

附圖說明

圖1是實施方式1所涉及的半導體發光元件的要部俯視圖。

圖2是實施方式1所涉及的半導體發光元件的要部截面圖(沿圖1的A-A′線所得的半導體發光元件的要部截面圖)。

圖3是實施方式1所涉及的制造工序中的半導體發光元件的要部截面圖。

圖4是與圖3接續的、制造工序中的與圖3相同部位的半導體發光元件的要部截面圖。

圖5是圖4接續的、制造工序中的與圖3相同部位的半導體發光元件的要部截面圖。

圖6是與圖5接續的、制造工序中的與圖3相同部位的半導體發光元件的要部截面圖。

圖7的(a)、(b)、(c)、和(d)是分別說明第二透明電極在俯視下的形狀的要部俯視圖。

圖8是實施方式1的變形例所涉及的半導體發光元件的要部截面圖。