[發明專利]一種TiO2/ZnS雙層復合納米管陣列的制備方法有效
| 申請號： | 201410521312.7 | 申請日： | 2014-10-04 |
| 公開（公告）號： | CN104741134A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 曲曉飛;杜芳林;候雨塵 | 申請（專利權）人： | 青島科技大學 |
| 主分類號： | B01J27/04 | 分類號： | B01J27/04;B01J35/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 266000 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 tio2 zns 雙層 復合 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種TiO2/ZnS雙層復合納米管陣列的制備方法，其特征在于:
(1)選用多孔陽極氧化鋁膜為模板，以分析純Zn(CH3COO)2，Na2S2O3和TiF4作為原料。
(2)配置一定濃度的TiF4水溶液，將陽極氧化鋁模板浸入所配溶液中，保持體系溫度一定范圍，適當時間，使TiO2前驅體溶膠均勻沉積到陽極氧化鋁模板的孔道中。
(3)將步驟(2)所得產品取出在烘箱中干燥一段時間，得到含有陽極氧化鋁模板的TiO2前驅體納米管陣列。
(4)將負載有TiO2前驅體的陽極氧化鋁模板浸入到一定濃度的Zn(CH3COO)2和Na2S2O3溶液中，在以聚四氟乙烯為內襯的水熱釜中保持水熱溫度適當范圍，水熱處理一段時間。隨后將產物用去離子水洗干凈，烘干。最終得到含有陽極氧化鋁模板的TiO2包覆PbS的雙層復合納米管陣列。
2.如權利要求1所述的TiO2/ZnS雙層復合納米管陣列的制備方法，其特征在于所述的模板為多孔陽極氧化鋁膜，膜厚度為20～60μm，孔道直徑為100～250nm，膜孔道上下通孔。
3.如權利要求1所述的TiO2/ZnS雙層復合納米管陣列的制備方法，其特征在于所述的TiO2/ZnS復合納米管長度為20～60μm，壁厚為20～80nm。
4.如權利要求1所述的TiO2/ZnS雙層復合納米管陣列的制備方法，其特征在于所述的TiF4溶液濃度為0.01～1mol/L。
5.如權利要求1所述的TiO2/ZnS雙層復合納米管陣列的制備方法，保持TiF4溶液溫度40～100℃，時間3～15min。
6.如權利要求1所述的TiO2/ZnS雙層復合納米管陣列的制備方法，其特征在于將負載有TiO2前驅體的陽極氧化鋁模板在烘箱中干燥的溫度為50～100℃，干燥時間為0.5～2h。
7.如權利要求1所述的TiO2/ZnS雙層復合納米管陣列的制備方法，其特征在于所述的Na2S2O3和Zn(CH3COO)2水溶液的濃度為0.01～2mol/L。
8.如權利要求1所述的TiO2/ZnS雙層復合納米管陣列的制備方法，其特征在于步驟(4)中采用水熱反應，水熱溫度為100～200℃，水熱處理時間2～24h。
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