[發明專利]有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201410521258.6 | 申請日: | 2014-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN104518001B | 公開(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發明(設計)人: | 樸桄模;沈鐘植;樸孝鎮 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,該有機發光顯示裝置包括:
顯示板,該顯示板包括發射至少三種顏色的光的子像素;和
驅動器,該驅動器向所述顯示板提供驅動信號,
其中,發射至少三種顏色的光的所述子像素中的每個都包括發射其自身顏色的開口區和附加地發射和其自身顏色相同顏色或不同顏色的光的發光參與區,
其中,所述發光參與區中的至少一個發光參與區通過該發光參與區中包括的虛設晶體管單元的操作發光,并且
其中,所述虛設晶體管單元共享被發射所述至少三種顏色的光的所述子像素中的一個子像素的所述晶體管單元所占據的區域。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,所述發光參與區對應于其中形成發射所述至少三種顏色的光的所述子像素的晶體管單元的區域。
3.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,所述發光參與區中的至少一個發光參與區通過該發光參與區中包括的虛設晶體管單元的操作發射白光。
4.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,發射至少三種顏色的光的所述子像素是RGB子像素,所述RGB子像素包括RGB濾色器,其中,所述發光參與區包括RGB虛設濾色器,以用與所述RGB子像素的所述RGB濾色器的顏色相同的顏色來轉換發射的光。
5.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,發射所述至少三種顏色的光的所述子像素包括:
下基板,該下基板包括所述開口區和所述發光參與區;
柵極電極和金屬電極,該柵極電極和金屬電極形成在所述發光參與區的所述下基板上;
第一絕緣層,該第一絕緣層形成在所述下基板上并且覆蓋所述柵極電極和所述金屬電極;
半導體層,該半導體層形成在所述發光參與區的所述第一絕緣層上并且設置在和所述柵極電極相對應的區域處;
第一電極和第二電極,該第一電極和該第二電極形成在所述第一絕緣層上并且與所述半導體層的一面和另一面接觸;
保護層,該保護層形成在所述第一絕緣層上并且覆蓋所述第一電極和所述第二電極;
濾色器,該濾色器形成在所述開口區的所述保護層上;
第二絕緣層,該第二絕緣層形成在所述保護層上并且覆蓋所述濾色器;
接觸電極,該接觸電極形成在所述發光參與區的所述第二絕緣層上并且將所述第二電極電連接至所述金屬電極;
第三絕緣層,該第三絕緣層形成在所述第二絕緣層上并且覆蓋所述接觸電極;
下電極,該下電極形成在所述第三絕緣層上,該下電極包括所述開口區的下電極和所述發光參與區的下電極,其中,所述開口區的所述下電極電連接至所述第一電極;
堤層,該堤層形成在所述下電極上,并且露出所述開口區的所述下電極的一部分和所述發光參與區的所述下電極的一部分;
有機發光層,該有機發光層形成在所述堤層上,并且覆蓋所述開口區的所述下電極的所述部分和所述發光參與區的所述下電極的所述部分;以及
上電極,該上電極覆蓋所述有機發光層。
6.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置,其中,發射所述至少三種顏色的光的所述子像素還包括虛設濾色器,該虛設濾色器形成在所述發光參與區的所述保護層上。
7.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置,其中,通過使所述開口區的所述下電極和所述發光參與區的所述下電極絕緣并被露出對所述堤層構圖。
8.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置,其中,發射所述至少三種顏色的光的所述子像素的所述開口區和所述發光參與區彼此隔開。
9.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,發射所述至少三種顏色的光的所述子像素依賴于所述發光參與區的發射顏色以I形狀、L形狀或T形狀中的任一種來發射一種顏色的光。
10.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,發射所述至少三種顏色的光的所述子像素中的任一個子像素具有最大發光面積,并且剩余子像素具有相同或不同的發光面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





