[發(fā)明專利]具有補(bǔ)償光譜響應(yīng)的光電二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410516703.X | 申請(qǐng)日： | 2014-09-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104515598B | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A.方特;H.紹尼希 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01J3/28 | 分類號(hào)： | G01J3/28 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蔣駿,徐紅燕 |
| 地址： | 德國(guó)瑙伊比*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 補(bǔ)償 光譜 響應(yīng) 光電二極管 | ||
1.一種方法，包括：
從配置成根據(jù)第一光譜響應(yīng)函數(shù)響應(yīng)于入射光而生成第一光電流的一個(gè)或多個(gè)光電二極管接收第一光電流的指示；
從配置成根據(jù)第二光譜響應(yīng)函數(shù)響應(yīng)于所述入射光而生成第二光電流的一個(gè)或多個(gè)光電二極管接收所述第二光電流的指示，其中所述第二光譜響應(yīng)函數(shù)不同于所述第一光譜響應(yīng)函數(shù)；
從配置成根據(jù)第三光譜響應(yīng)函數(shù)響應(yīng)于所述入射光而生成第三光電流的一個(gè)或多個(gè)光電二極管接收所述第三光電流的指示，其中所述第三光譜響應(yīng)函數(shù)不同于所述第一光譜響應(yīng)函數(shù)和所述第二光譜響應(yīng)函數(shù)；以及
根據(jù)第四光譜響應(yīng)函數(shù)輸出所述入射光的所述強(qiáng)度的所述指示，其中所述入射光的所述強(qiáng)度的所述指示基于所述第一光電流、所述第二光電流和所述第三光電流中的每一個(gè)光電流，其中所述第四光譜響應(yīng)函數(shù)不同于所述第一光譜響應(yīng)函數(shù)、所述第二光譜響應(yīng)函數(shù)和所述第三光譜響應(yīng)函數(shù)。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第四光譜響應(yīng)函數(shù)逼近適應(yīng)光的響應(yīng)。
3.權(quán)利要求1所述的方法，
其中配置成生成所述第一光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管包括p型襯底和在所述p型襯底內(nèi)的n型阱，配置成生成所述第一光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管的配置包括不屏蔽所述入射光，
其中配置成生成所述第二光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管包括p型襯底、在所述p型襯底內(nèi)的n型阱以及在所述n型阱內(nèi)并短路到所述n型阱的p型擴(kuò)散層，配置成生成所述第二光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管的配置包括不屏蔽所述入射光，
其中配置成生成所述第三光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管包括p型襯底和在所述p型襯底內(nèi)的n型阱，配置成生成所述第三光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管的配置包括不屏蔽所述入射光。
4.權(quán)利要求3所述的方法，其中配置成生成所述第一光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管還包括在所述n型阱內(nèi)的浮動(dòng)p型擴(kuò)散層。
5.權(quán)利要求3所述的方法，
其中配置成生成所述第一光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管與配置成生成所述第二光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管是相互排他的，
其中配置成生成所述第一光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管與配置成生成所述第三光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管是相互排他的，以及
其中配置成生成所述第二光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管與配置成生成所述第三光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管是相互排他的。
6.權(quán)利要求3所述的方法，還包括使在n型阱內(nèi)的p型擴(kuò)散層短路到配置成生成所述第一光電流的一個(gè)或多個(gè)光電二極管的所述n型阱以將配置成根據(jù)所述第一頻譜響應(yīng)函數(shù)生成所述第一光電流的一個(gè)或多個(gè)光電二極管重新配置為配置成根據(jù)所述第二頻譜響應(yīng)函數(shù)生成所述第二光電流的一個(gè)或多個(gè)光電二極管。
7.權(quán)利要求1所述的方法，還包括從配置成根據(jù)第五光譜響應(yīng)函數(shù)響應(yīng)于所述入射光生成第四光電流的一個(gè)或多個(gè)光電二極管接收所述第四電流的指示，其中所述入射光的所述強(qiáng)度的所述指示還基于所述第四光電流。
8.權(quán)利要求7所述的方法，
其中配置成生成所述第一光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管包括p型襯底、在所述p型襯底內(nèi)的n型阱和在所述n型阱內(nèi)的浮動(dòng)p型擴(kuò)散層，
其中配置成生成所述第二光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管包括p型襯底、在所述p型襯底內(nèi)的n型阱以及在所述n型阱內(nèi)并短路到所述n型阱的p型擴(kuò)散層，
其中配置成生成所述第三光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管包括p型襯底、在所述p型襯底內(nèi)的n型阱以及在所述n型阱內(nèi)并短路到所述n型阱的p型擴(kuò)散層，在配置成生成所述第三光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管的所述n型阱內(nèi)的所述p型擴(kuò)散層比在配置成生成所述第二光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管的所述n型阱薄，以及
其中配置成生成所述第四光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管包括p型襯底、在所述p型襯底內(nèi)的n型阱和在所述n型阱內(nèi)的浮動(dòng)p型擴(kuò)散層，配置成生成所述第三光電流的所述一個(gè)或多個(gè)光電二極管的配置包括屏蔽所述入射光。
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